Previous Issue
|
Next Issue
Issue Browser
Volume 18, Issue 7, Jul 1997
Table of Content
CONTENTS
半导体微腔物理及其应用
郑厚植
Chin. J. Semicond.  1997, 18(7): 481-491
Abstract PDF

Laplace缺陷谱方法研究
詹华瀚, 康俊勇, 黄启圣
Chin. J. Semicond.  1997, 18(7): 492-496
Abstract PDF

GaAs衬底上分子束外延ZnTe_(1-x)S_x合金的光学声子散射研究
靳彩霞, 王东红, 凌震, 俞根才, 王杰, 黄大鸣, 侯晓远, 沈孝良, 姚文华
Chin. J. Semicond.  1997, 18(7): 497-501
Abstract PDF

In_xGa_(1-x)As/InP应变多量子阱P-i-N结构的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究
王晓亮, 孙殿照, 孔梅影, 侯洵, 曾一平
Chin. J. Semicond.  1997, 18(7): 502-507
Abstract PDF

MBE InGaAs/GaAs外延层晶胞弛豫直接测量的X射线双晶衍射方法
庄岩, 王玉田, 马文全, 林耀望, 周增圻
Chin. J. Semicond.  1997, 18(7): 508-512
Abstract PDF

用改进的调制光电流相移分析技术研究氢化非晶硅的隙态分布
盛殊然, 孔光临, 廖显伯, 夏传钺, 郑怀德
Chin. J. Semicond.  1997, 18(7): 513-517
Abstract PDF

横向加速度传感器设计及特性研究
朱海军, 陈宏, 鲍敏杭
Chin. J. Semicond.  1997, 18(7): 518-522
Abstract PDF

硅光探测器紫外响应的改善
尹长松, 朱晓刚
Chin. J. Semicond.  1997, 18(7): 523-526
Abstract PDF

Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs HEMT结构参数优化提取
刘诺, 谢孟贤, 石迎春
Chin. J. Semicond.  1997, 18(7): 527-530
Abstract PDF

集成电路的连线时延及其在版图设计中的估算
陈春鸿, 唐璞山
Chin. J. Semicond.  1997, 18(7): 531-537
Abstract PDF

对离子束外延氧化铈/硅热处理行为的初步研究
黄大定, 王军杰, 杨锡震, 吴正龙
Chin. J. Semicond.  1997, 18(7): 538-543
Abstract PDF

超薄氮氧化硅(Sio_xN_y)栅NMOSFET中GIDL效应的研究
刘卫东, 李志坚, 刘理天, 田立林, 陈文松, 熊大箐
Chin. J. Semicond.  1997, 18(7): 544-549
Abstract PDF

自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究
王志明, 邓元明, 封松林, 吕振东, 陈宗圭, 王凤莲, 徐仲英, 郑厚植, 高旻, 韩培德, 段晓峰
Chin. J. Semicond.  1997, 18(7): 550-553
Abstract PDF

流体静压下研究电场畴的形成机制
孙宝权, 刘振兴, 江德生
Chin. J. Semicond.  1997, 18(7): 554-557
Abstract PDF

半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响
吴巨, 何宏家, 范缇文, 王占国, 张绵
Chin. J. Semicond.  1997, 18(7): 558-560
Abstract PDF

Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved   京ICP备05085259号-2