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Volume 21, Issue 12, Dec 2000
CONTENTS
Numerical Analysis of Characterized Back Interface Traps of SOI Devices by R-G Current
何进, 黄如, 张兴, 黄爱华, 孙飞, 王阳元
Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1145-1151
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Effects of Growth Conditions on Optical Properties of GaInNAs/GaAs Quantum Well Grown by Molecular Beam Epitaxy
李联合, 潘钟, 张伟, 林耀望, 王学宇, 吴荣汉
Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1152-1156
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A New Method for Optimizing Layout Parameter ofan Integrated On- Chip Inductor in CMOS RF IC's
李力南, 钱鹤
Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1157-1163
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Circuit Design of On-Chip BP Learning Neural Network with Programmable Neuron Characteristics
卢纯, 石秉学, 陈卢
Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1164-1169
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纳米硅薄膜的Raman光谱
徐刚毅, 王天民, 李国华, 王金良, 何宇亮, 马智训, 郑国珍
Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1170-1176
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ZnSe薄膜的激子光谱
盛传祥, 王兴军, 俞根才, 黄大鸣
Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1177-1182
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入射光强对Ag-BaO薄膜内场助光电发射特性的影响
张琦锋, 吴锦雷
Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1183-1188
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半导体纳米粒子的电容
何红波, 周继承, 胡慧芳, 李义兵
Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1189-1192
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全固源分子束外延生长InP和InGaAsP
郝智彪, 卢京辉, 任在元, 罗毅
Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1193-1197
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Determination of Threshold Voltage and Mobility of MOSFET by Proportional Difference Operator
王金延, 许铭真, 谭长华
Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1198-1202
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MFIS结构的C-V特性
颜雷, 汤庭鳌, 黄维宁, 姜国宝, 钟琪, 汤祥云
Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1203-1207
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SiGe/SiHBT发射结的寄生势垒及其对器件室温和低温特性的影响
徐晨, 沈光地, 陈建新, 邹德恕, 李建军, 罗辑, 魏欢, 周静, 董欣
Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1208-1213
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高精度单向模拟开关的设计及其基于CMOS工艺的电路实现
兀革, 石寅
Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1214-1219
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宽带3—5μm量子阱红外探测器的研制
李宏伟, 李卫, 黄绮, 周均铭
Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1220-1223
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新型互补式宽频带线性移相器
田小建, 张大明, 孙伟, 衣茂斌
Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1224-1227
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旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡
丁勇, 赵福川, 毛友德, 夏冠群, 赵建龙
Chin. J. Semicond.  2000, 21(12): 1228-1230
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