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Volume 3, Issue 3, Mar 1982
CONTENTS
高纯度砷化镓残留受主BA、DA峰的电子声子耦合
陈廷杰, 吴灵犀, 徐寿定, 孟庆惠, 于鲲, 李永康
Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 169-174
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GaAs-AlGaAs异质结界面及开关现象的研究
林世鸣, 王启明, 杜宝勋, 石忠诚, 高季林
Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 175-181
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p/p~+Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te液相外延层等离子体的红外反射光谱
冷静, 杨永年, 袁诗鑫
Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 182-191
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由MOS结构对线性电压扫描的瞬态响应测定产生寿命和表面产生速度
张秀淼, 包宗明, 苏九令
Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 192-196
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GD非晶硅中氧、氮对其光电特性的影响
徐温元, 孙钟林, 王宗畔, 李德林
Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 197-201
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偏离<111>晶向的硅表面层中氧化层错的研究
鲍希茂, 嵇福权, 黄信凡
Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 202-207
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绝缘边界对扩展电阻测量的影响
陈存礼
Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 208-214
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电化学C-V法测量半导体材料载流子浓度分布
邵永富, 陈自姚, 彭瑞伍
Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 215-221
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GaAs MESFET单片集成电路工艺研究
王立模, 罗浩平, 李其忠, 杨凤臣, 江锋, 瞿志仁, 陈凌云, 马洪芳
Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 222-229
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复合型GaAs材料在10.6μm吸收特性的研究
王桂芬, 张光寅, 张春平
Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 230-232
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磷化铟与氧化膜界面物理性质的研究
陈克铭, 仇兰华, 崔玉德, 陈维德, 简萍清
Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 233-237
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SOS外延膜的光吸收研究
章熙康, 顾隆道
Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 238-240
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用DLTS研究中子嬗变掺杂硅中的电子陷阱
吴书祥, 晏懋洵, 杜光庭, 孟祥提
Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 241-244
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不同金属栅极的M-SiO_2-Si系统可动离子界面陷阱能量分布的研究
王阳元, 张利春, 吉力久, 倪学文
Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 245-247
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用背散射和沟道技术分析异质外延硅层的缺陷
承焕生, 徐志伟, 赵国庆, 周筑颖, 郁元桓
Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 248-250
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用DLTS研究注氧硅中深中心缺陷
张玉峰, 张丽珠, 吴书祥, 杜永昌
Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 251-254
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第三届全国半导体物理会议
屈逢源
Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 255-255
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第二届《全国集成电路和硅材料学术年会》
冯应章
Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 255-255
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全国中、大规模集成电路设计及分析学术会议
冯应章
Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 256-256
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第四届全国砷化镓及有关化合物学术交流会
Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 256-256
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1981年国际砷化镓和有关化合物学术会议
王渭源, 邹元爔
Chin. J. Semicond.  1982, 3(3): 257-257
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