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Volume 8, Issue 5, May 1987
Table of Content
CONTENTS
纤锌矿半导体中双空位态的电子结构
顾一鸣, 黄明竹, 任尚元
Chin. J. Semicond.  1987, 8(5): 451-457
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调制掺杂非晶半导体超晶格中的瞬变电流(II)——瞬态光电导
熊诗杰
Chin. J. Semicond.  1987, 8(5): 458-465
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多元逻辑12位×12位超高速乘法器
王守觉, 石寅, 朱荣华
Chin. J. Semicond.  1987, 8(5): 466-473
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Hg_(1-x)Cd_xTe非线性光电导
王威礼, 周赫田, 邢启江, 史守旭
Chin. J. Semicond.  1987, 8(5): 474-479
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用于测量微小弯曲晶体曲率半径和弯曲方向的(n~v,-m~s)双晶衍射术
陈京一, 许顺生
Chin. J. Semicond.  1987, 8(5): 480-485
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一种与工艺有关的PLA折叠法
宋俊德, 辛德禄
Chin. J. Semicond.  1987, 8(5): 486-494
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氮离子注入形成Si_3N_4埋层构成的SiO_2/Si/Si_3N_4/Si多层结构的研究
陈晖, 贺晓泉, 张继盛, 李志坚
Chin. J. Semicond.  1987, 8(5): 495-502
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半导体化合物靶中射程参数的分子轨道法处理
王德宁, 王渭源
Chin. J. Semicond.  1987, 8(5): 503-511
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亚带隙表面光电压谱测定界面态性质
张坚, 黄炳忠
Chin. J. Semicond.  1987, 8(5): 512-519
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微量掺杂金刚石结构半导体材料中替位式杂质的声子局域模和准局域模
徐文兰, 傅英, 郑兆勃
Chin. J. Semicond.  1987, 8(5): 520-525
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代位杂质局域振动的键轨道方法
钟学富, 江德生
Chin. J. Semicond.  1987, 8(5): 526-530
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Ga_(0.47)In_(0.53)As-InP异质结界面二维电子气
郑有炓, 黄善祥, Y.H.Chang, J.P.Cheng, B.D.McCombe
Chin. J. Semicond.  1987, 8(5): 531-535
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用闭管化学气相输运方法制备Hg_(1-x)Cd_xSe外延膜
孔宏志, 石伟东, 王德昌, 王宝琨
Chin. J. Semicond.  1987, 8(5): 536-539
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在710℃下Al_xGa_(1-x)As液相外延短时间生长特性的研究
刘宏勋, 王舒民, 江晓松, 章蓓, 虞丽生
Chin. J. Semicond.  1987, 8(5): 540-544
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B~+和P~+离子注入在n-Si中产生缺陷能级的进一步研究
孙璟兰, 陈建新, 李名复
Chin. J. Semicond.  1987, 8(5): 545-547
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Cd_(1-x)Zn_xTe和Cd_(1-y)Hg_yTe系的晶格常数的测定
于福聚, 徐三保, 张恕明
Chin. J. Semicond.  1987, 8(5): 548-550
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1.52微米InGaAsP/InP双有源区双沟道平面掩埋异质结动态单纵模激光器
李洵, 简水生, 赵嵩山, 周宁
Chin. J. Semicond.  1987, 8(5): 551-553
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InP:Fe中与Fe~(2+)有关的一组新的红外吸收峰
张玉爱, 江德生, 许振嘉
Chin. J. Semicond.  1987, 8(5): 554-557
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GaAs/AlAs短周期超晶格中的纵光学声子限制模
汪兆平, 江德生
Chin. J. Semicond.  1987, 8(5): 558-562
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