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Volume 12, Issue 12, Dec 1991
Table of Content
CONTENTS
垂直电场中GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs量子阱内类氢杂质束缚能计算
李树深
Chin. J. Semicond.  1991, 12(12): 715-720
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LPCVD氮化硅膜中的氢含量及其对pH-ISFET敏感特性的影响
陈克铭, 李国花, 吕惠云, 陈朗星
Chin. J. Semicond.  1991, 12(12): 721-727
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MNOS结构界面陷阱分布的TSC谱研究
黄君凯, 刘涛
Chin. J. Semicond.  1991, 12(12): 728-736
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GaAs(100)面硫钝化的HREELS与XPS研究
朱建红, 候晓远, 丁训民, 金晓峰, 陈平
Chin. J. Semicond.  1991, 12(12): 737-742
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Pd/W/Si(111)多层膜形成硅化物的研究
施一生, 赵特秀, 刘洪图, 王晓平
Chin. J. Semicond.  1991, 12(12): 743-748
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TiSi_2/n~+poly-Si复合结构热处理对磷再分布及RIE的影响
徐秋霞, 周锁京, 赵玉印
Chin. J. Semicond.  1991, 12(12): 749-754
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反应溅射生长的a-Si:H/a-Ge:H超晶格光学性质研究
王印月, 许怀哲, 张仿清, 陈光华
Chin. J. Semicond.  1991, 12(12): 755-758
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半磁半导体Zn_(1-x)Mn_xSe中吸收光学非线性和双稳现象研究
窦恺, 黄世华, 秦伟平, 靳春明, 周方策, 虞家琪, 张新夷, 徐叙瑢
Chin. J. Semicond.  1991, 12(12): 759-762
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高激发密度下ZnSe-ZnS/CaF_2超晶格的自由激子发光及光学非线性
申德振, 范希武, 范广涵
Chin. J. Semicond.  1991, 12(12): 763-766
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长波长低暗电流高速In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM光电探测器
史常忻, K.Heime
Chin. J. Semicond.  1991, 12(12): 767-770
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