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Volume 18, Issue 8, Aug 1997
Table of Content
CONTENTS
MBE生长应变Si_(1-x)Ge_x/Si MQW结构中Ge分布的计算
司俊杰, 杨沁清, 王启明
Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 561-567
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Si衬底上用反应蒸发法制备AlN单晶薄膜
张伟, 张仕国, 袁骏
Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 568-572
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GaAs/GaAlAs量子阱双色红外探测器的光电性质的研究
崔丽秋, 江德生, 张耀辉, 吴文刚, 刘伟, 宋春英, 李月霞, 孙宝权, 王若桢
Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 573-580
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Si(1-x)Ge_x外延层结构参数的椭偏光谱表征技术研究
张瑞智, 罗晋生
Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 581-586
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借助硅片减薄重掺硅间隙氧含量低温(10K)红外测量
王启元, 王俊, 韩秀峰, 邓惠芳, 王建华, 昝育德, 蔡田海, 郁元桓, 林兰英
Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 587-591
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InP系列多薄层异质结构材料光致发光谱温度特性的实验研究
丁国庆
Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 592-597
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用Van der Pauw法研究硼重掺杂金刚石薄膜电学性质
陈光华, 张兴旺, 季亚英
Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 598-602
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红外区熔再结晶SOI GE_XSi_(1-X)合金沟道P-MOSFET的研究
付军, 栾洪发, 田立林, 钱佩信, 周均铭
Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 603-608
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基于线网类型分析的过点分配算法
李江, 洪先龙, 乔长阁, 蔡懿慈
Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 609-615
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真空微电子三极管直流特性及栅阴极电容的计算机模拟
秦明, 黄庆安, 魏同立
Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 616-620
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微尖场致发射三极管的FDM-NOCCS算法模拟
汪琛, 尹涵春, 王保平, 童林夙
Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 621-625
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单电子晶体管放大器的数值分析
沈波, 蒋建飞
Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 626-630
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InAs/GaAs自组织生长量子点结构中浸润层光致发光研究
吕振东, 徐仲英, 郑宝真, 许继宗, 王玉琦, 王建农, 葛惟锟
Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 631-635
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Two-Dimensional Simulation of Interface States Effect on AlGaAs/GaAs HEMT
张兴宏, 杨玉芬, 王占国
Chin. J. Semicond.  1997, 18(8): 636-640
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