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Volume 22, Issue 6, Jun 2001
Table of Content
CONTENTS
生长Ga_xAl_yIn_(1-x-y)N的准热力学模型(英文)
陆大成, 段树坤
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 677-683
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快速热退火对带有 InGaAs盖层的 InAs/GaAs量子点发光特性的影响(英文)
魏永强, 刘会云, 徐波, 丁鼎, 梁基本, 王占国
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 684-688
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固相反应制备的多晶和外延CoSi_2/n-Si(111)接触的肖特基特性(英文)
竺士炀, 茹国平, 屈新萍, 李炳宗
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 689-694
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快速退火对SiGe/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响(英文)
李成, 杨沁清, 王红杰, 王玉田, 余金中, 王启明
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 695-699
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新的二维解析方法预言场限环结构的电压分布和边界峰值电场及环间距的优化(英文)
何进, 张兴, 黄如, 王阳元
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 700-705
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DCDC—20GHz射频MEMS开关(英文)
朱健, 林金庭, 林立强
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 706-709
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GaAs太阳电池的质子辐照和退火效应(英文)
向贤碧, 杜文会, 廖显伯, 常秀兰
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 710-714
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晶格热振动对极性半导体膜中电子-表面声子强耦合极化子自陷能的影响
额尔敦朝鲁, 李树深, 肖景林
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 715-720
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组合离子注入导致非对称耦合双量子阱界面混合效应光调制反射光谱
缪中林, 陆卫, 陈平平, 李志锋, 刘平, 袁先漳, 蔡炜颖, 徐文兰, 沈学础, 陈昌明, 朱德彰, 胡军, 李明乾
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 721-725
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SiC纳米棒光学声子的喇曼光谱
阎研, 黄福敏, 张树霖, 朱邦芬, 尚尔轶, 范守善
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 726-728
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Mg在InGaAlP及GaP材料中的掺杂行为
纪刚, 李越生, 曹永明, 华铭
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 729-732
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采用微分电导法(R_□)评估POLY/SIS/Si界面状况
郑宜钧, 贾永华
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 733-736
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Ti/Al/Ti/Au与AlGaN欧姆接触特性
张锦文, 张太平, 王玮, 宁宝俊, 武国英
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 737-740
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边缘阻尼对横向振动微谐振器品质因子的影响
章彬, 黄庆安
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 741-745
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化学计量比的偏离对GaN的结晶品质及光电性能的影响
江风益, 姚冬敏, 莫春兰, 王立, 李鹏, 熊传兵, 彭学新
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 746-750
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硅熔体中3C-SiC的生长及6H-SiC晶型的抑制
马剑平, 卢刚, 雷天民, 陈治明
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 751-754
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N型6H-SiCMOS电容的电学特性
王姝睿, 刘忠立, 梁桂荣, 梁秀芹, 马红芝
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 755-759
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GAT型高速高压功率开关管最大集电极电流的仿真
王哲, 亢宝位, 吴郁, 程序
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 760-764
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超薄栅MOS结构恒压应力下的直接隧穿弛豫谱
卫建林, 毛凌锋, 许铭真, 谭长华
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 765-769
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深亚微米MOS器件的热载流子效应
刘红侠, 郝跃, 孙志
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 770-773
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背面Ar~+轰击对n~-沟MOSFET特性的影响
黄美浅, 李观启, 曾绍洪
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 774-778
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环境温度、电离辐射剂量率对NMOSFET器件特性参数的影响
何宝平, 姚育娟, 彭宏论, 张正选
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 779-783
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VCD和DVD用全息光栅衍射效率的分析
梁万国, 郑婉华, 谢敬辉, 梁恩主, 陈良惠, 李卉, 刘浩
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 784-787
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一种采用新触发器的高速CMOS前置分频器
张春晖, 李永明, 陈弘毅
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 788-791
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10GHz低抖动增益开关DFB激光器
李玉华, 娄采云, 韩明, 王兆欣, 高以智
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 792-795
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一种适用于数字视频编码器的高性能直接数字频率合成器
沈泊, 章倩苓
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 796-799
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2.5—10Gb/s光发射机驱动电路HEMT IC中器件模型参数
高建军, 高葆新, 吴德馨
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 800-805
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部分耗尽CMOS/SOI工艺
刘新宇, 孙海峰, 陈焕章, 扈焕章, 海潮和, 刘忠立, 和致经, 吴德馨
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 806-810
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多晶硅发射极超高速集成电路工艺
张利春, 倪学文, 王阳元
Chin. J. Semicond.  2001, 22(6): 811-816
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