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Volume 11, Issue 10, Oct 1990
Table of Content
CONTENTS
GaAs/AlGaAs量子阱的输运特性
王杏华, 郑厚植
Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 727-732
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GaP:N(Te)中碲束缚激子发光的声子翼现象
钱佑华, 丁磊
Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 733-737
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Al_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb的LPE生长与性质研究
杨保华, 王占国, 万寿科, 龚秀英, 林兰英
Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 738-745
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液相外延生长In_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb及其性质研究
刘学锋, 龚秀英, 王占国
Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 746-750
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用微波光电导谱研究半导体薄片的少子扩散长度和表面复合速度
褚幼令, 王宗欣, 刘瑞林, 左文德
Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 751-758
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单晶晶胞参数的X射线双晶衍射测定方法
李润身, 朱南昌
Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 759-767
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1/ch~2界面介质光波导的模吸收损耗
马春生, 刘式墉
Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 768-772
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InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD器件设计考虑及I_P—V曲线二级阶梯状扭折
丁国庆
Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 773-779
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AIN膜及其在半导体光电器件中的应用
郭良, 朱素珍, 张霞, 余金中, 王德煌
Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 780-785
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射频溅射CoMnNiO非晶薄膜中空穴的迁移率
陶明德, 谭辉, 秦东, 韩英
Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 786-789
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InGaAsP/InP CCTS双稳态激光器的纵模及偏振特性
李建蒙, 王启明
Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 790-794
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空间生长GaAs单晶做衬底的GaAs/AlGaAs DH激光器
石志文, 罗丽萍, 林兰英
Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 795-798
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2千兆赫GaAs分频器设计
史常忻, 王庆康, 李晓明, 李志奇, 夏冠群, 杨悦非, 严萍
Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 799-803
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硅表面溅射氮氧铝膜的实验研究
王德煌, 郭良
Chin. J. Semicond.  1990, 11(10): 804-807
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