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Volume 16, Issue 10, Oct 1995
CONTENTS
InGaAs/InP超晶格材料的GSMBE生长研究
孙殿照,王晓亮,李晓兵,国红熙,阎春辉,李建平,朱世荣,李灵霄,曾一平,孔梅影,侯洵
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 725-729
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短周期GaAs/AlAs超晶格的光频介电函数谱理论的实验检验
莫党,谭健华,陈宗圭,杨小平,张鹏华,张伟,陈良尧
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 730-735
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定域再结晶SOI的透射电镜研究
刘安生,邵贝羚,李永洪,刘峥,张鹏飞,钱佩信
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 736-740
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高效AlxGa_(1—x)As/GaAs太阳电池的研制及辐照效应
李标,向贤碧,游志朴,许颖,费雪英
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 741-746
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GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定
陈春华,陈新,王佑祥,姜志雄
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 747-753
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收集区局部掺杂的硅双极晶体管的二维数值分析
林绪伦
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 754-758
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高能离子注入硅中自由载流子的等离子效应的光学响应研究
俞跃辉,邹世昌,周筑颖,赵国庆
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 759-765
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硼离子注入半绝缘InP和N型InP的电特性研究
赵杰,刘宝钧,李建蒙
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 766-771
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多能MeV硼离子注入单晶硅形成特殊形状载流子分布
康一秀,赵渭江,王宇钢,张利春,虞福春
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 772-778
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用射频偏压溅射制备的具有快速紫外光响应的ZnO薄膜
张德恒
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 779-782
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硼掺杂及未掺杂金刚石薄膜的电学和光电导特性
张仿清,张文军,胡博,谢二庆,陈光华
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 783-788
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直拉硅单晶中热施主的快速热退除
栾洪发,张果虎,李兵,陈学清,秦福,钱佩信
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 789-793
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退火条件对β—FeSi_2形成的影响
陈向东,王连卫,林贤,林成鲁,邹世昌
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 794-797
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SiO_2全封闭的硅量子线列阵
施毅,刘建林,汪峰,张荣,韩平,余是东,张学渊,顾书林,胡立群,茅保华,郑有
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 798-800
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固体C_(70)/P型Si接触的电学性质
陈开茅,贾勇强,吴克,金泗轩,李传义,周锡煌,顾镇南
Chin. J. Semicond.  1995, 16(10): 801-804
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