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Volume 21, Issue 7, Jul 2000
CONTENTS
Monolithic Integration DFB Laser Array by Angling Active Stripe and Using Thin-Film Stripe Heater
张静媛, 刘国利, 朱洪亮, 汪孝杰, 周帆, 王圩
Chin. J. Semicond.  2000, 21(7): 625-629
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Novel Type of Wide-Bandwidth GaAs/AlGaAs Infrared Photodetectors
史衍丽, 邓军, 尹洁, 廉鹏, 董欣, 杜金玉, 高国, 邹德恕, 陈建新, 沈光地
Chin. J. Semicond.  2000, 21(7): 630-636
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Forming of Very Shallow Junction for S/D Extension in Deep Sub- Micron CMOS Devices
殷华湘, 徐秋霞
Chin. J. Semicond.  2000, 21(7): 637-645
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InGaN混溶隙的计算
童玉珍, 陈英勇, 张国义
Chin. J. Semicond.  2000, 21(7): 646-651
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衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响
于磊, 曾一平, 潘量, 孔梅影, 李晋闽, 李灵霄, 周宏伟
Chin. J. Semicond.  2000, 21(7): 652-656
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GaAs(100)热退火表面的变角XPS定量分析
汪贵华, 杨伟毅, 常本康
Chin. J. Semicond.  2000, 21(7): 657-661
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Ge/Si(100)界面互扩散的喇曼光谱
蒋伟荣, 周星飞, 施斌, 胡冬枝, 刘晓晗, 蒋最敏, 张翔九
Chin. J. Semicond.  2000, 21(7): 662-666
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硅、锗和氩离子注入富硅二氧化硅的电致发光
王艳兵, 孙永科, 乔永平, 张伯蕊, 秦国刚, 陈文台, 龚义元, 吴德馨, 马振昌, 宗婉华
Chin. J. Semicond.  2000, 21(7): 667-672
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在硅衬底上用HFCVD法生长的纳米SiC薄膜及其室温光致发光
余明斌, 马剑平, 罗家骏, 陈治明
Chin. J. Semicond.  2000, 21(7): 673-676
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Si基热氧化Si_(1-x-y)Ge_xC_y薄膜的室温光致发光特性
程雪梅, 郑有炓, 刘夏冰, 臧岚, 朱顺明, 韩平, 罗志云, 江若琏
Chin. J. Semicond.  2000, 21(7): 677-681
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弛豫SiGe外延层的UHV/CVD生长
罗广礼, 林小峰, 刘志农, 陈培毅, 林惠旺, 钱佩信, 刘安生
Chin. J. Semicond.  2000, 21(7): 682-685
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用SIPOS-SiO_2复合层对4H-SiCn~+pp~+结构钝化的分析
姜岩峰, 李思渊, 刘肃, 曹磊, 薄建军
Chin. J. Semicond.  2000, 21(7): 686-690
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中子辐照下的6H-SiCpn结电特性分析
尚也淳, 张义门, 张玉明
Chin. J. Semicond.  2000, 21(7): 691-696
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掺砷多晶硅发射极RCA晶体管
张利春, 叶红飞, 金雪林, 高玉芝, 宁宝俊
Chin. J. Semicond.  2000, 21(7): 697-704
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微波功率器件金属化布线回流加固结构
孙英华, 李志国, 程尧海, 张万荣
Chin. J. Semicond.  2000, 21(7): 705-710
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基于速度饱和的CMOS倒相器延迟模型
宋任儒, 阮刚, 梁擎擎, ReinhardStreiter, ThomasOtto, ThomasGessner
Chin. J. Semicond.  2000, 21(7): 711-716
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基于功耗最小的光电多芯片组件优化划分算法
陈伟元, 胡琴, 周正伟, 王豪才
Chin. J. Semicond.  2000, 21(7): 717-722
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GSMBE生长的高质量氮化镓材料
孙殿照, 王晓亮, 王军喜, 刘宏新, 刘成海, 曾一平, 李晋闽, 侯洵, 林兰英
Chin. J. Semicond.  2000, 21(7): 723-725
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InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管
王晓晖, 刘祥林, 陆大成, 袁海荣, 韩培德, 汪度
Chin. J. Semicond.  2000, 21(7): 726-728
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