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Volume 7, Issue 5, May 1986
Table of Content
CONTENTS
Al_xGa_(1-x)As-GaAs多层量子阱结构的流体静压光荧光研究
赵学恕, 李国华, 韩和相, 汪兆平, 陈宗圭, 孙殿照, 孔梅影, 唐汝明, 王丽君
Chin. J. Semicond.  1986, 7(5): 453-460
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半导体超晶格的带间集体激发
秦国毅
Chin. J. Semicond.  1986, 7(5): 461-472
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最优化方法分析GaAs MESFET串联电阻
程兆年, 杨悦非, 张友渝
Chin. J. Semicond.  1986, 7(5): 473-479
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硅中过饱和砷在后退火过程中的析出及其对硅原子移位影响的实验研究
卢志恒, 张孝吉, W.K.Chu
Chin. J. Semicond.  1986, 7(5): 480-488
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硅中碳含量对缺陷成核的影响
谭淞生, 沈金媛, 李月珍
Chin. J. Semicond.  1986, 7(5): 489-496
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分段压缩-平面复合腔激光器的纵模-温度锁定效应
肖建伟, 杜国同, 高鼎三, 杨德林
Chin. J. Semicond.  1986, 7(5): 497-503
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GaAs中子嬗变掺杂热退火效应的沟道分析
郑胜男, 阎建华, 王豫生, 李跃鑫, 谢葆珍, 莫培根
Chin. J. Semicond.  1986, 7(5): 504-508
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GaAs/Al_xGa_(1-x)As调制掺杂材料的高温退火特性
忻尚衡
Chin. J. Semicond.  1986, 7(5): 509-515
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MBE GaAs/AlAs一维超晶格结构参数的X射线双晶衍射测量
王玉田, 陈宗圭
Chin. J. Semicond.  1986, 7(5): 516-521
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剪切应力对压阻传感器灵敏度的影响
王言, 鲍敏杭, 晋琦
Chin. J. Semicond.  1986, 7(5): 522-530
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硅粗糙表面的椭偏法研究和改进的OL模型
刘安胜, 莫党
Chin. J. Semicond.  1986, 7(5): 531-538
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掺杂(硼和磷)a-Si_(1-x)C_x:H膜中氢含量的测量
陈光华, 张仿清, 徐希翔, 清水立生
Chin. J. Semicond.  1986, 7(5): 539-542
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高光增益GaAs/Ga_(0.55)Al_(0.45)As异质结光晶体管
黄小康, 孙宝寅, 孙成城, 薛保兴, 张培荣
Chin. J. Semicond.  1986, 7(5): 543-546
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硅中离子注入层的红外瞬态退火及退火后残留深能级缺陷的DLTS研究
范永平, 罗晋生, 周彩弟
Chin. J. Semicond.  1986, 7(5): 547-550
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Pb_(0.88)Sn_(0.12)Te晶体退火引起的转型层特性及其在激光器制做上的应用
陈鹤明, 曹根娣, 朱筱春, 张位在, 王海龙
Chin. J. Semicond.  1986, 7(5): 551-554
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In/InP(110)及P/InP(110)表面电子态
徐至中, 沈静志
Chin. J. Semicond.  1986, 7(5): 555-557
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非掺半绝缘GaAs晶体中位错作用的初步研究
莫培根, 吴巨, 李寿春, 詹千宝, 杨金华
Chin. J. Semicond.  1986, 7(5): 558-560
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电化学法测定Si多层结构材料浓度分布
陈自姚, 邵永富, 朱福英
Chin. J. Semicond.  1986, 7(5): 561-564
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