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Volume 23, Issue 2, Feb 2002
Table of Content
CONTENTS
用三带和全带模型蒙特卡罗方法模拟纤锌矿相GaN体材料输运特性结果的比较(英文)
郭宝增, 王永青
Chin. J. Semicond.  2002, 23(2): 113-119
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立方相GaN的高温MOCVD生长(英文)
付羿, 孙元平, 沈晓明, 李顺峰, 冯志宏, 段俐宏, 王海, 杨辉
Chin. J. Semicond.  2002, 23(2): 120-123
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热载流子应力下p-MOSFETs在低栅电压范围的统一退化模型(英文)
胡靖, 穆甫臣, 许铭真, 谭长华
Chin. J. Semicond.  2002, 23(2): 124-130
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基于对称螺旋型电感和差分二极管的2.4GHz CMOS正交输出压控振荡器(英文)
池保勇, 石秉学
Chin. J. Semicond.  2002, 23(2): 131-135
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一个快速高效进行布线拥挤优化的总体布线器(英文)
许静宇, 鲍海云, 洪先龙, 蔡懿慈, 经彤, 顾钧
Chin. J. Semicond.  2002, 23(2): 136-142
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铟镓氮薄膜的光电特性
韩培德, 刘祥林, 王晓晖, 袁海荣, 陈振, 李昱峰, 陆沅, 汪度, 陆大成, 王占国
Chin. J. Semicond.  2002, 23(2): 143-148
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氮化镓注镁(Mg:GaN)的光致发光
谢世勇, 郑有炓, 陈鹏, 张荣, 周玉刚
Chin. J. Semicond.  2002, 23(2): 149-152
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金属/n型AlGaN欧姆接触
周慧梅, 沈波, 周玉刚, 刘杰, 郑泽伟, 钱悦, 张荣, 施毅, 郑有炓, 曹春海, 焦刚, 陈堂胜
Chin. J. Semicond.  2002, 23(2): 153-156
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高阻碲锌镉单晶体的生长及其性能观测
李奇峰, 朱世富, 赵北君, 蔡力, 高德友, 金应荣
Chin. J. Semicond.  2002, 23(2): 157-160
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立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOCVD外延生长
冯志宏, 杨辉, 徐大鹏, 赵德刚, 王海, 段俐宏
Chin. J. Semicond.  2002, 23(2): 161-164
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光照对阈值电压均匀性的影响
朱朝嵩, 夏冠群, 李传海, 詹琰
Chin. J. Semicond.  2002, 23(2): 165-168
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BPM方法在SOI结构中的应用
张小峰, 余金中, 王启明, 魏红振
Chin. J. Semicond.  2002, 23(2): 169-173
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紫外和蓝光区域硅PIN光电二极管
宁宝俊, 张太平, 张录, 田大宇
Chin. J. Semicond.  2002, 23(2): 174-177
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半导体激光器的微腔结构调制及其脉码在光纤中的传输
王英龙, 丁文革, 郑云龙, 孙江, 李双九, 尚勇
Chin. J. Semicond.  2002, 23(2): 178-182
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由等价掺杂转换理论得到非对称线性缓变P-N结的击穿特性(英文)
何进, 张兴
Chin. J. Semicond.  2002, 23(2): 183-187
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基于实验与物理分析的4H-SiC射频功率MESFET大信号非线性精确电容模型
杨林安, 张义门, 张玉明
Chin. J. Semicond.  2002, 23(2): 188-192
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与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计
毛陆虹, 陈弘达, 吴荣汉, 唐君, 梁琨, 粘华, 郭维廉, 李树荣, 吴霞宛
Chin. J. Semicond.  2002, 23(2): 193-197
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一种有效的IC成品率估算模型
赵天绪, 郝跃, 马佩军
Chin. J. Semicond.  2002, 23(2): 198-202
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SOI数模混合集成电路的串扰特性分析
张国艳, 黄如, 张兴, 王阳元
Chin. J. Semicond.  2002, 23(2): 203-207
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HF/CrO_3溶液对AlGaAs的选择性湿法刻蚀应用于楔型结构的制备
黄辉, 黄永清, 任晓敏, 高俊华, 罗丽萍, 马骁宇
Chin. J. Semicond.  2002, 23(2): 208-212
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CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验
刘新宇, 刘运龙, 孙海锋, 吴德馨, 和致经, 刘忠立
Chin. J. Semicond.  2002, 23(2): 213-216
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适于ULSI的一种新的铜的CMP抛光液
王弘英, 刘玉岭, 张德臣
Chin. J. Semicond.  2002, 23(2): 217-221
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国家自然科学基金半导体学科2001年项目概况分析
何杰, 王晓晖, 夏传钺
Chin. J. Semicond.  2002, 23(2): 222-224
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