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Volume 13, Issue 9, Sep 1992
Table of Content
CONTENTS
n型砷化镓外延层中1.48eV发射带的时间分辨光谱的研究
段家忯
Chin. J. Semicond.  1992, 13(9): 523-527
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不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型
魏希文, 李建军, 马平西, 邹赫麟, 王阳元, 张利春, 吉利久
Chin. J. Semicond.  1992, 13(9): 528-538
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半导体激光器功率输出特性的理论分析及实验研究
刘德明, 黄德修, 黄菊仙
Chin. J. Semicond.  1992, 13(9): 539-546
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簿全耗尽SOI膜N沟道MOSFET强反型电流模型
程玉华, 王阳元
Chin. J. Semicond.  1992, 13(9): 547-553
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CMOS倒相链瞬态对延迟模型分析
郝跃
Chin. J. Semicond.  1992, 13(9): 554-563
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亚微米MOS场效应管的完全解析二维模型
汤庭鳌, C.A.Paz de Araujo
Chin. J. Semicond.  1992, 13(9): 564-572
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红外透射光谱测量重掺杂化合物半导体裁流子浓度方法的研究
何秀坤, 王琴, 李光平, 阎萍, 汝琼娜, 李晓波
Chin. J. Semicond.  1992, 13(9): 573-578
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霍尔器件的一种新的工作模式
易明銧
Chin. J. Semicond.  1992, 13(9): 579-583
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Ga_(1-x)In_xSb/GaSb应变层超晶格的MOVPE生长
陆大成, 汪度, 刘祥林, 万寿科, 王玉田
Chin. J. Semicond.  1992, 13(9): 584-587
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