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Volume 6, Issue 5, May 1985
CONTENTS
硅及硅化钽超精细结构的刻蚀
李建中, I.Adesida, E.D.Wolf
Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 451-457
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MOS界面态电荷瞬态谱方法
郑心畬, 李志坚
Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 458-468
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GaAs体效应器件中阴极深凹槽掺杂分布引起的静止畴的电场的计算分析
郑一阳
Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 469-474
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GaAs体效应器件中阴极深凹槽引起的静止畴的实验研究
郑一阳
Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 475-480
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珀耳帖效应对无序绝缘衬底上多晶硅激光再结晶的影响
柳承恩
Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 481-486
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FLOTOX型EEPROM存贮管的擦写特性与理论分析
朱钧, 靳东明, 熊大菁, 李志坚
Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 487-494
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中子辐照p型硅中的空穴陷阱和与氢有关的深能级中心
杜永昌, 张玉峰, 孟祥提
Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 495-502
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红外瞬态退火全离子注入MOS工艺的研究
侯东彦, 马腾阁, 陈必贤, 钱佩信
Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 503-510
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H_2O在Si(100)-(2×1)表面上的吸附和氧化
邢益荣, W.Ranke
Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 511-517
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无定形锗硅合金的光电特性
李长健, 徐温元
Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 518-522
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Al在InP(110)面上的吸附
徐至中
Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 523-527
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用喇曼光谱测注硼硅片的损伤分布
吴华生, 劳浦东, 邬建根, 屈逢源
Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 528-535
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半导体四层漏光波导的分析Ⅱ:强耦合近似与精确解
张敬明
Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 536-544
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非晶硅隙态密度的场效应测量分析方法
连建宇, 廖显伯, 郑秉茹, 孔光临
Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 545-551
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分子束外延GaAs中的Sn受主态
忻尚衡, L.F.Eastman
Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 552-555
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不同气氛中生长VPE-GaAs的深中心
王健强, 吴孝慎, 李名复, 林耀望
Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 556-560
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离子注入抗蚀技术
韩阶平, 王培大, 马俊如, 王守武
Chin. J. Semicond.  1985, 6(5): 561-562
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