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Volume 12, Issue 5, May 1991
Table of Content
CONTENTS
电荷DLTS及其对硅上砷化镓材料中深能级的测量
董琪, 郑心畬, 陈培毅, 费新礴
Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 257-264
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Cr/GaAs界面的反应特性及电子性质的研究
金高龙, 陈维德, 许振嘉
Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 265-272
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电场调制效应对氧化层电流弛豫谱的影响
许铭真, 谭长华, 刘晓卫, 王阳元
Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 273-283
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硼磷硅玻璃在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应
陈维德, H.Bender
Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 284-288
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用分子束外延在多孔硅衬底上外延单晶硅来实现SOI结构
周国良, 盛篪, 樊永良, 张翔九, 俞鸣人, 黄宜平
Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 289-293
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离化团束方法在GaAs衬底上外延CdTe单晶薄膜
冯嘉猷, 汤海鹏, 朱洪林, 范玉殿, 李恒德
Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 294-299
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半绝缘InP的铁能级研究
彭承, 孙恒慧, 唐文国, 李自元
Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 300-303
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用于宽带光纤用户网的高速1.3μm InGaAsP/InP DH LED
郭康瑾, 肖德元, 陈启玙, 徐少华, 陈瑞璋, 张晓平
Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 304-308
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用于1.55μm InGaAsP/InP DFB激光器的λ/4相移衍射光栅
缪育博, 张静媛, 王圩
Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 309-312
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亚微米MOSFET的计算机模拟
张义门, 滕建旭
Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 313-316
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GaAs/AlAs超晶格中的纵光学声子模的近共振散射研究
汪兆平, 韩和相, 李国华, 江德生, Klaus Ploog
Chin. J. Semicond.  1991, 12(5): 317-320
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