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Volume 23, Issue 7, Jul 2002
CONTENTS
碳化硅电力电子器件及其制造工艺新进展
陈治明
Chin. J. Semicond.  2002, 23(7): 673-680
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选择外延技术研制1.5μmDFB激光器和自对准模斑转换器集成器件(英文)
邱伟彬, 董杰, 王圩, 周帆
Chin. J. Semicond.  2002, 23(7): 681-684
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应变Si沟道异质结NMOS晶体管(英文)
史进, 黄文涛, 陈培毅
Chin. J. Semicond.  2002, 23(7): 685-689
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一种采用带-带隧穿热电子注入编程的新型快闪存贮器(英文)
潘立阳, 朱钧, 刘志宏, 曾莹, 鲁勇
Chin. J. Semicond.  2002, 23(7): 690-694
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小波图像编码的VLSI实现(英文)
乔世杰, 王国裕
Chin. J. Semicond.  2002, 23(7): 695-700
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基于规则的光学邻近矫正中规则的相关处理(英文)
石蕊, 蔡懿慈, 洪先龙, 吴为民, 杨长旗
Chin. J. Semicond.  2002, 23(7): 701-706
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GaN/GaAs(001)外延薄膜的湿法腐蚀特性(英文)
沈晓明, 冯志宏, 冯淦, 付羿, 张宝顺, 孙元平, 张泽洪, 杨辉
Chin. J. Semicond.  2002, 23(7): 707-712
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杂质对硅单晶机械性能影响的电子理论研究
张国英, 刘贵立
Chin. J. Semicond.  2002, 23(7): 713-716
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掺碳氮化镓的光学性质
叶建东, 顾书林, 王立宗, 张荣, 施毅, 郑有炓
Chin. J. Semicond.  2002, 23(7): 717-721
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纳米4-H碳化硅薄膜的掺杂现象
张洪涛, 徐重阳, 邹雪城, 王长安, 赵伯芳, 周雪梅, 曾祥兵
Chin. J. Semicond.  2002, 23(7): 722-724
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量子阱结构中的等效宽度分析
周小平, 周剑英, 杨爱龄, 李锡华, 江晓清, 王明华
Chin. J. Semicond.  2002, 23(7): 725-730
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量子点的形成对Si/Ge界面互扩散的影响
周星飞, 施斌, 胡冬枝, 樊永良, 龚大卫, 蒋最敏
Chin. J. Semicond.  2002, 23(7): 731-734
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新型SiGe/Si异质结开关功率二极管的特性分析及优化设计
高勇, 陈波涛, 杨媛
Chin. J. Semicond.  2002, 23(7): 735-740
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1×2全内反射型有机聚合物热光开关的研制
杨建义, 江晓清, 杨方辉, 王明华, Ray T Chen
Chin. J. Semicond.  2002, 23(7): 741-745
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开管扩镓改善器件电参数性能的机理分析
孙瑛
Chin. J. Semicond.  2002, 23(7): 746-751
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外部电光测量的空间分辨率
张红波, 王瑞, 陈开鑫, 杨罕, 张大明, 衣茂斌, 王国全, 马振昌
Chin. J. Semicond.  2002, 23(7): 752-756
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一种用于DSCRL绝热电路的新型功率时钟(英文)
罗家俊, 李晓民, 陈潮枢, 仇玉林
Chin. J. Semicond.  2002, 23(7): 757-761
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一种新的不受寄生电容影响的电容式传感器接口电路
曹新平, 张大成, 黄如, 张兴, 王阳元
Chin. J. Semicond.  2002, 23(7): 762-765
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一种快速光刻模拟中二维成像轮廓提取的新方法
陈志锦, 史峥, 王国雄, 付萍, 严晓浪
Chin. J. Semicond.  2002, 23(7): 766-771
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半导体器件与工艺综合
鲁勇, 谢晓峰, 张文俊, 杨之廉
Chin. J. Semicond.  2002, 23(7): 772-776
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新型半导体清洗剂的清洗工艺
曹宝成, 于新好, 马洪磊
Chin. J. Semicond.  2002, 23(7): 777-781
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GaN_(1-x)P_x三元合金的MOCVD生长
陈敦军, 毕朝霞, 沈波, 张开骁, 顾书林, 张荣, 施毅, 胡立群, 郑有炓, 孙学浩, 万寿科, 王占国
Chin. J. Semicond.  2002, 23(7): 782-784
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