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Volume 25, Issue 9, Sep 2004
Table of Content
CONTENTS
采用ECR-PEMOCVD方法进行立方和六方GaN单晶薄膜生长的准热力学模型和相图(英文)
王三胜, 顾彪
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1041-1047
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低能量He离子注入局域寿命控制LIGBT的实验研究(英文)
方健, 唐新伟, 李肇基, 张波
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1048-1054
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CMOS双带低噪声放大器(英文)
冯东, 石秉学
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1055-1060
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部分耗尽0.25μmSOI射频nMOSFET(英文)
李俊峰, 杨荣, 赵玉印, 柴淑敏, 刘明, 徐秋霞, 钱鹤
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1061-1065
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用于蓝牙收发机的低电压CMOS Gilbert混频器(英文)
崔福良, 马德群, 黄林, 叶菁华, 郭淦, 洪志良
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1066-1073
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一种新型的高精度神经元MOS源极跟随单元电路(英文)
杨媛, 高勇, 余宁梅, 刘梦新
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1074-1078
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离子束刻蚀法制备大功率高效率650nm AlGaInP可见光激光器(英文)
徐云, 曹青, 孙永伟, 叶晓军, 侯识华, 郭良, 陈良惠
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1079-1083
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亚微米、深亚微米LDD MOSFET的衬底电流模型中特征长度改进的描述(英文)
于春利, 杨林安, 郝跃
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1084-1090
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3C-SiC/Si异质结二极管的高温特性(英文)
张永兴, 孙国胜, 王雷, 赵万顺, 高欣, 曾一平, 李晋闽, 李思渊
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1091-1096
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不同HALO掺杂剂量的超薄栅pMOSFET的退化(英文)
赵要, 胡靖, 许铭真, 谭长华
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1097-1103
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直拉硅单晶中位错的光致发光
李东升, 杨德仁, S Pizzini
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1104-1108
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Si基MOCVD生长AlN深陷阱中心研究
邓咏桢, 郑有炓, 周春红, 孔月婵, 陈鹏, 叶建东, 顾书林, 沈波, 张荣, 江若琏, 韩平, 施毅
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1109-1113
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掺杂对硅薄膜窗口材料生长的影响
郭群超, 耿新华, 张建新, 刘国标
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1114-1117
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空间高效硅太阳电池减反射膜设计与数值分析
杨文华, 吴鼎祥, 李红波
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1118-1122
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Si/SiGe-OI应变异质结构的高分辨电子显微分析
马通达, 屠海令, 邵贝羚, 陈长春, 黄文韬
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1123-1127
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掺In对反型AlGaAs/GaAs异质界面质量的改善及其应用
尚勋忠, 王文冲, 郭丽伟, 吴曙东, 牛萍娟, 黄绮, 周均铭
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1128-1131
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4H-SiC功率MESFET的击穿特性
吕红亮, 张义门, 张玉明, 杨林安
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1132-1136
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Pt基埋栅势垒GaAs基增强型InAlAs/InGaAs改性高电子迁移率晶体管
陈效建, 吴旭, 李拂晓, 焦刚
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1137-1142
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钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性
王海嵩, 杜国同, 许成栋, 宋俊峰, 唐君, 陈弘达, 刘宇, 祝宁华
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1143-1147
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基于非线性受控电压源的单电子晶体管宏模型
吕明, 蒋建飞, 蔡琪玉
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1148-1153
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基于MEMS技术的一种新型可变形反射镜
余洪斌, 陈海清, 竺子民, 张大成, 李婷
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1154-1158
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6H-SiC肖特基源漏n沟MOSFET的数值-解析模型
汤晓燕, 张义门, 张玉明, 郜锦侠, 陈锐标
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1159-1163
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基于双基区晶体管结构的光控振荡器
卜春雨, 李树荣, 吴静, 李丹
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1164-1168
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基于全定制IP设计的漏电流功耗仿真计算方法
张锋, 周玉梅, 黄令仪
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1169-1174
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低功耗、全差分流水线操作CMOSA/D转换器
朱臻, 马德群, 叶菁华, 洪志良
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1175-1180
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硅衬底上共面线的特性及应用
李富华, 代文亮, 李征帆, 王玉洋
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1181-1185
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低功耗自适应跨导-电容带通滤波器电路实现
马德群, 崔福良, 何捷, 黄林, 洪志良
Chin. J. Semicond.  2004, 25(9): 1186-1192
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