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Volume 22, Issue 1, Jan 2001
Table of Content
CONTENTS
带寄生及匹配约束的CMOS模拟电路模块的STACK生成优化方法(英文)
曾璇, 李明原, 赵文庆, 唐璞山, 周电
Chin. J. Semicond.  2001, 22(1): 1-10
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1.55μm In_(1 - x - y) Ga_y Al_x As压缩应变量子阱激光器的近似阱宽和光增益公式(英文)
张冶金, 陈维友, 蒋恒, 刘彩霞, 刘式墉
Chin. J. Semicond.  2001, 22(1): 11-17
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栅控二极管正向 R- G电流对 SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性(英文)
何进, 黄如, 张兴, 孙飞, 王阳元
Chin. J. Semicond.  2001, 22(1): 18-24
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关态应力下 P- MOSFETs的退化(英文)
杨存宇, 王子欧, 谭长华, 许铭真
Chin. J. Semicond.  2001, 22(1): 25-30
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离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的 Ga NAs/ Ga As和Ga In NAs/ Ga As量子阱的影响(英文)
李联合, 潘钟, 张伟, 林耀望, 王学宇, 吴荣汉
Chin. J. Semicond.  2001, 22(1): 31-34
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使用 X射线衍射技术判定 Si C单晶体的结构和极性(英文)
郑新和, 渠波, 王玉田, 杨辉, 梁骏吾
Chin. J. Semicond.  2001, 22(1): 35-39
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GSMBE生长 1.8- 2.0μm波段In Ga As/ In Ga As P应变量子阱激光器
柏劲松, 方祖捷, 张云妹, 张位在, 陈高庭, 李爱珍, 陈建新
Chin. J. Semicond.  2001, 22(1): 40-46
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CMOS/SOI64Kb静态随机存储器
韩郑生, 周小茵, 海潮和, 刘忠立, 吴德馨
Chin. J. Semicond.  2001, 22(1): 47-52
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Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元系材料的应变补偿特性
于卓, 李代宗, 成步文, 黄昌俊, 雷震霖, 余金中, 王启明, 梁骏吾
Chin. J. Semicond.  2001, 22(1): 53-56
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非晶硅薄膜的镍诱导横向晶化工艺及其特性
秦明, VincentM C Poon
Chin. J. Semicond.  2001, 22(1): 57-60
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金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究
刘传珍, 杨柏梁, 袁剑峰, 李牧菊, 吴渊, 寥燕平, 张玉, 王大海, 黄锡珉
Chin. J. Semicond.  2001, 22(1): 61-65
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宽带隙立方氮化硼薄膜制备
邓金祥, 王波, 严辉, 陈光华
Chin. J. Semicond.  2001, 22(1): 66-68
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电荷泵法研究FLASH擦工作时带带隧穿引起的界面损伤
苏昱, 朱钧, 陈宇川, 潘立阳, 刘志弘
Chin. J. Semicond.  2001, 22(1): 69-73
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发射极-基极-发射极结构PNP型AlGaAs/GaAsHBT电流增益的理论分析
严北平, 张鹤鸣, 戴显英
Chin. J. Semicond.  2001, 22(1): 74-79
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用模拟退火算法从S参数提取HFET小信号等效电路模型参数
陈俊, 刘训春
Chin. J. Semicond.  2001, 22(1): 79-82
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a-SiTFT/PIN图像传感器件
赵颖, 熊绍珍, 李璟, 周祯华, 李俊峰
Chin. J. Semicond.  2001, 22(1): 83-90
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32位定/浮点乘法器设计
于敦山, 沈绪榜
Chin. J. Semicond.  2001, 22(1): 91-95
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ECOP:一种基于单元行划分的标准单元模式增量布局算法
于泓, 姚波, 洪先龙, 蔡懿慈
Chin. J. Semicond.  2001, 22(1): 96-101
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针孔缺陷对集成电路功能成品率影响分析与仿真
马佩军, 郝跃, 刘红侠
Chin. J. Semicond.  2001, 22(1): 102-106
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倒装焊SnPb焊点热循环失效和底充胶的影响
陈柳, 张群, 王国忠, 谢晓明, 程兆年
Chin. J. Semicond.  2001, 22(1): 107-112
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