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Volume 23, Issue 10, Oct 2002
Table of Content
CONTENTS
高k栅介质MOSFET的栅电流模型(英文)
刘晓彦, 康晋锋, 韩汝琦
Chin. J. Semicond.  2002, 23(10): 1009-1014
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利用电阻场板提高SOI-LIGBT的性能(英文)
杨洪强, 韩磊, 陈星弼
Chin. J. Semicond.  2002, 23(10): 1014-1017
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一种能够抑制部分耗尽SOI nMOSFET浮体效应的新型Schottkty体接触结构的模拟(英文)
刘运龙, 刘新宇, 韩郑生, 海潮和, 钱鹤
Chin. J. Semicond.  2002, 23(10): 1018-1023
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具有光纤自定位保持结构的2×2扭转微镜光开关阵列的制作和机电特性(英文)
吴文刚, 郝一龙, 栗大超, 张培玉, 武国英
Chin. J. Semicond.  2002, 23(10): 1024-1030
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采用源极增强带带隧穿热电子注入编程的新型p沟选择分裂位线NOR快闪存贮器(英文)
潘立阳, 朱钧, 刘楷, 刘志宏, 曾莹
Chin. J. Semicond.  2002, 23(10): 1031-1036
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采用图划分技术的多端口RC网络约减方法(英文)
杨华中, 冒小建, 燕昭然, 汪蕙
Chin. J. Semicond.  2002, 23(10): 1037-1040
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掺铁浓度对半绝缘磷化铟的一些性质的影响(英文)
赵有文, 罗以琳, 冯汉源, C D Beling, 林兰英
Chin. J. Semicond.  2002, 23(10): 1041-1045
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SiO_2/Ta界面反应及其对铜扩散的影响(英文)
龙世兵, 马纪东, 于广华, 赵洪辰, 朱逢吾, 张国海, 夏洋
Chin. J. Semicond.  2002, 23(10): 1046-1050
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在量子阱中自组织量子点结构GaN/Al_xGa_(1-x)N的电子能谱
刘承师, 马本堃, 王立民
Chin. J. Semicond.  2002, 23(10): 1051-1056
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新型稀磁半导体Cd_(1-x)Mn_xIn_2Te_4的光学和磁学性能
安卫军, 常永勤, 郭喜平, 介万奇
Chin. J. Semicond.  2002, 23(10): 1057-1061
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Pb_(1-x)Ge_xTe薄膜在铁电相变点的折射率异常
李斌, 江锦春, 张素英, 张凤山
Chin. J. Semicond.  2002, 23(10): 1062-1066
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Al/a-Si∶H复合薄膜的电导性能
王瑞春, 杜丕一, 翁文剑, 韩高荣
Chin. J. Semicond.  2002, 23(10): 1067-1072
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掺锗CZSi原生晶体中氧的微沉淀
张维连, 李嘉席, 陈洪建, 孙军生, 张建新, 张恩怀, 赵红生
Chin. J. Semicond.  2002, 23(10): 1073-1077
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Ar气压对射频磁控溅射铝掺杂ZnO薄膜特性的影响
宋登元, 王永青, 孙荣霞, 宗晓萍, 郭宝增
Chin. J. Semicond.  2002, 23(10): 1078-1082
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雾化热解法制备ZnO薄膜及其光电性能
杨成兴, 季振国, 刘坤, 樊瑞新, 叶志镇
Chin. J. Semicond.  2002, 23(10): 1083-1087
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p型扩散区(SiO_2/Si系扩Ga)的俄歇分析
孙瑛, 王凤英
Chin. J. Semicond.  2002, 23(10): 1088-1092
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用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度
沈晓明, 付羿, 冯淦, 张宝顺, 冯志宏, 杨辉
Chin. J. Semicond.  2002, 23(10): 1093-1097
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微型电光探针的研制
李海兰, 贾刚, 张晓婷, 周志雄, 陈占国
Chin. J. Semicond.  2002, 23(10): 1098-1101
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渐变应变偏振不灵敏半导体光学放大器
张瑞英, 董杰, 冯志伟, 周帆, 王鲁峰, 王圩
Chin. J. Semicond.  2002, 23(10): 1102-1105
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共源-共栅组态S~2I电流存储单元及其性能
李拥平, 石寅
Chin. J. Semicond.  2002, 23(10): 1106-1111
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基于核的信息安全处理芯片可测性设计
陆思安, 何剑春, 严晓浪, 何乐年
Chin. J. Semicond.  2002, 23(10): 1112-1115
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响应表面法在工艺综合中的应用
鲁勇, 张文俊, 杨之廉
Chin. J. Semicond.  2002, 23(10): 1116-1120
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