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Volume 25, Issue 1, Jan 2004
CONTENTS
用神经元MOS结构实现的一种新型匹配滤波器(英文)
杨媛, 余宁梅, 高勇
Chin. J. Semicond.  2004, 25(1): 1-5
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一个71mW8位125MHz A/D转换器(英文)
王照钢, 陈诚, 任俊彦, 许俊
Chin. J. Semicond.  2004, 25(1): 6-11
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1.8V电源电压81dB动态范围的低过采样率ΣΔ调制器(英文)
徐栋麟, 赵晖, 王照钢, 任俊彦, 闵昊
Chin. J. Semicond.  2004, 25(1): 12-18
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微波高功率双介质栅静电感应晶体管(英文)
王永顺, 李思渊, 胡冬青
Chin. J. Semicond.  2004, 25(1): 19-25
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利用背面曝光技术制造大高宽比SU8结构的一种新方法(英文)
伊福廷, 缪鹏, 彭良强, 张菊芳, 韩勇
Chin. J. Semicond.  2004, 25(1): 26-29
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基于整数规划的优化拥挤度的增量式布局算法(英文)
李卓远, 吴为民, 洪先龙
Chin. J. Semicond.  2004, 25(1): 30-37
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耦合双量子点中基态电子的隧穿特性
肖洁, 施毅, 熊诗杰, 张荣, 郑有炓
Chin. J. Semicond.  2004, 25(1): 38-42
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退火对GaAs窗口晶体力学性能的影响
黎建明, 屠海令, 郑安生
Chin. J. Semicond.  2004, 25(1): 43-47
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用MOCVD方法制备的GaN_(1-x)P_x三元合金的喇曼与红外光谱
张开骁, 沈波, 陈敦军, 张荣, 施毅, 郑有炓, 李志锋, 陆卫
Chin. J. Semicond.  2004, 25(1): 48-51
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溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜及表征
季振国, 宋永梁, 杨成兴, 刘坤, 王超, 叶志镇
Chin. J. Semicond.  2004, 25(1): 52-55
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ZnO-SnO_2透明导电膜的低温制备及性质
黄树来, 马瑾, 刘晓梅, 马洪磊, 孙征, 张德恒
Chin. J. Semicond.  2004, 25(1): 56-59
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直拉硅单晶中的流动图形缺陷
刘彩池, 乔治, 周旗钢, 王敬, 郝秋艳, 张建峰, 李养贤, 任丙彦
Chin. J. Semicond.  2004, 25(1): 60-63
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以铝作过渡层的c轴取向Si基ZnO晶体薄膜的生长及其肖特基二极管的研制
李蓓, 叶志镇, 黄靖云, 袁国栋, 张海燕, 赵炳辉
Chin. J. Semicond.  2004, 25(1): 64-68
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非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT
陈堂胜, 焦刚, 薛舫时, 曹春海, 李拂晓
Chin. J. Semicond.  2004, 25(1): 69-72
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多台阶介质槽隔离的SiCOI
龚欣, 张进城, 郝跃
Chin. J. Semicond.  2004, 25(1): 73-76
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GaAs PHEMT器件的退化特性及可靠性表征方法
刘红侠, 郑雪峰, 郝跃, 韩晓亮, 李培咸, 张绵
Chin. J. Semicond.  2004, 25(1): 77-81
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MEMS薄膜纵向断裂强度的静电测试结构模型与模拟
梅年松, 黄庆安
Chin. J. Semicond.  2004, 25(1): 82-86
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绝缘膜负带电时的表面局部电场与二次电子返回特性
冯仁剑, 张海波, 王顺勇, Katsumi URA
Chin. J. Semicond.  2004, 25(1): 87-92
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补偿D/A译码器中梯度误差的新算法
王晓峰, 杨柯, 凌燮亭, 胡波
Chin. J. Semicond.  2004, 25(1): 93-98
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利用(110)硅片制作体硅微光开关的工艺研究
张龙, 董玮, 张歆东, 刘彩霞, 陈维友, 徐宝琨
Chin. J. Semicond.  2004, 25(1): 99-103
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镓杂质R_S效应的研究与分析
孙瑛, 刘志军, 刘秀喜
Chin. J. Semicond.  2004, 25(1): 104-108
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一种气(Ga)-固(Al掺杂氧化物)-固(Si)掺杂新工艺
刘秀喜, 孙瑛, 李玉国
Chin. J. Semicond.  2004, 25(1): 109-114
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ULSI硅衬底的化学机械抛光
张楷亮, 刘玉岭, 王芳, 李志国, 韩党辉
Chin. J. Semicond.  2004, 25(1): 115-119
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