Journal of Semiconductors

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Volume 21, Issue 4, Apr 2000

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Quantum Confinement Effects in Strained Si Ge/Si Multiple Quantum Wells

成步文, 李代宗, 黄昌俊, 张春晖, 于卓, 余金中, 王启明

Chin. J. Semicond. 2000, 21(4): 313-316

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(4): 313.

成步文, 李代宗, 黄昌俊, 张春晖, 于卓, 余金中, 王启明. Quantum Confinement Effects in Strained Si Ge/Si Multiple Quantum Wells[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 313..Export: BibTex EndNote

成步文, 李代宗, 黄昌俊, 张春晖, 于卓, 余金中, 王启明. Quantum Confinement Effects in Strained Si Ge/Si Multiple Quantum Wells[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 313...

多晶硅超薄沟道薄膜晶体管研制(英文)

张盛东, 韩汝琦, 关旭东, 刘晓彦, 王阳元

Chin. J. Semicond. 2000, 21(4): 317-324

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(4): 317.

张盛东, 韩汝琦, 关旭东, 刘晓彦, 王阳元. 多晶硅超薄沟道薄膜晶体管研制(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 317..Export: BibTex EndNote

张盛东, 韩汝琦, 关旭东, 刘晓彦, 王阳元. 多晶硅超薄沟道薄膜晶体管研制(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 317...

Net Congestion Elimination for Datapathsby Placement Refinement

文化, 唐璞山

Chin. J. Semicond. 2000, 21(4): 325-332

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(4): 325.

文化, 唐璞山. Net Congestion Elimination for Datapathsby Placement Refinement[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 325..Export: BibTex EndNote

文化, 唐璞山. Net Congestion Elimination for Datapathsby Placement Refinement[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 325...

固体C_(70)/Si异质结的界面电子态

陈开茅, 孙文红, 吴克, 武兰青, 周锡煌, 顾镇南, 卢殿通

Chin. J. Semicond. 2000, 21(4): 333-339

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(4): 333.

陈开茅, 孙文红, 吴克, 武兰青, 周锡煌, 顾镇南, 卢殿通. 固体C_(70)/Si异质结的界面电子态[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 333..Export: BibTex EndNote

陈开茅, 孙文红, 吴克, 武兰青, 周锡煌, 顾镇南, 卢殿通. 固体C_(70)/Si异质结的界面电子态[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 333...

硫钝化对Fe/GaAs(100)界面电子结构和磁性质的影响

徐彭寿, 张发培, 祝传刚, 陆尔东, 徐法强, 潘海斌, 张新夷

Chin. J. Semicond. 2000, 21(4): 340-345

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(4): 340.

徐彭寿, 张发培, 祝传刚, 陆尔东, 徐法强, 潘海斌, 张新夷. 硫钝化对Fe/GaAs(100)界面电子结构和磁性质的影响[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 340..Export: BibTex EndNote

徐彭寿, 张发培, 祝传刚, 陆尔东, 徐法强, 潘海斌, 张新夷. 硫钝化对Fe/GaAs(100)界面电子结构和磁性质的影响[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 340...

生长于Si(111)上的氮化硅薄膜表面结构

翟光杰, 杨建树, 陈显邦, 王学森

Chin. J. Semicond. 2000, 21(4): 346-353

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(4): 346.

翟光杰, 杨建树, 陈显邦, 王学森. 生长于Si(111)上的氮化硅薄膜表面结构[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 346..Export: BibTex EndNote

翟光杰, 杨建树, 陈显邦, 王学森. 生长于Si(111)上的氮化硅薄膜表面结构[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 346...

躺在石墨表面上的碳纳米管

刘虹雯, 薛增泉, 刘惟敏, 施祖进, 吴锦雷

Chin. J. Semicond. 2000, 21(4): 354-358

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(4): 354.

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阵列波导光栅复用/解复用器光栅孔径对器件性能影响的数值分析

雷红兵, 欧海燕, 杨沁清, 胡雄伟, 余金中, 王启明

Chin. J. Semicond. 2000, 21(4): 359-364

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(4): 359.

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雷红兵, 欧海燕, 杨沁清, 胡雄伟, 余金中, 王启明. 阵列波导光栅复用/解复用器光栅孔径对器件性能影响的数值分析[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 359...

MOCVD生长P型GaN的掺Mg量的研究

李述体, 王立, 彭学新, 熊传兵, 姚冬敏, 辛勇, 江风益

Chin. J. Semicond. 2000, 21(4): 365-368

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(4): 365.

李述体, 王立, 彭学新, 熊传兵, 姚冬敏, 辛勇, 江风益. MOCVD生长P型GaN的掺Mg量的研究[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 365..Export: BibTex EndNote

李述体, 王立, 彭学新, 熊传兵, 姚冬敏, 辛勇, 江风益. MOCVD生长P型GaN的掺Mg量的研究[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 365...

Au-GaN肖特基结的伏安特性

林兆军, 张太平, 武国英, 王玮, 阎桂珍, 孙殿照, 张建平, 张国义

Chin. J. Semicond. 2000, 21(4): 369-372

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(4): 369.

林兆军, 张太平, 武国英, 王玮, 阎桂珍, 孙殿照, 张建平, 张国义. Au-GaN肖特基结的伏安特性[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 369..Export: BibTex EndNote

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基于有效态密度的MOS结构电荷控制模型

马玉涛, 刘理天, 李志坚

Chin. J. Semicond. 2000, 21(4): 373-377

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(4): 373.

马玉涛, 刘理天, 李志坚. 基于有效态密度的MOS结构电荷控制模型[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 373..Export: BibTex EndNote

马玉涛, 刘理天, 李志坚. 基于有效态密度的MOS结构电荷控制模型[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 373...

MOS晶体管中辐照引起的陷阱正电荷的强压退火

姚育娟, 张正选, 姜景和, 何宝平, 罗尹虹

Chin. J. Semicond. 2000, 21(4): 378-382

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(4): 378.

姚育娟, 张正选, 姜景和, 何宝平, 罗尹虹. MOS晶体管中辐照引起的陷阱正电荷的强压退火[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 378..Export: BibTex EndNote

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PMOS剂量计的退火特性

范隆, 任迪远, 张国强, 严荣良, 艾尔肯

Chin. J. Semicond. 2000, 21(4): 383-387

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(4): 383.

范隆, 任迪远, 张国强, 严荣良, 艾尔肯. PMOS剂量计的退火特性[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 383..Export: BibTex EndNote

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GAT双极晶体管的高频高压兼容特性

庄宝煌, 黄美纯, 朱梓忠, 李开航, 吴丽清

Chin. J. Semicond. 2000, 21(4): 388-393

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(4): 388.

庄宝煌, 黄美纯, 朱梓忠, 李开航, 吴丽清. GAT双极晶体管的高频高压兼容特性[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 388..Export: BibTex EndNote

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In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制

陈猛, 白雪冬, 黄荣芳, 闻立时

Chin. J. Semicond. 2000, 21(4): 394-399

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(4): 394.

陈猛, 白雪冬, 黄荣芳, 闻立时. In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 394..Export: BibTex EndNote

陈猛, 白雪冬, 黄荣芳, 闻立时. In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 394...

基于神经网络方法预测薄膜的厚度

于丽娟, 朱长纯, 陈晓宁

Chin. J. Semicond. 2000, 21(4): 400-403

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(4): 400.

于丽娟, 朱长纯, 陈晓宁. 基于神经网络方法预测薄膜的厚度[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 400..Export: BibTex EndNote

于丽娟, 朱长纯, 陈晓宁. 基于神经网络方法预测薄膜的厚度[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 400...

聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型

常旭, 宗祥福

Chin. J. Semicond. 2000, 21(4): 404-408

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(4): 404.

常旭, 宗祥福. 聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 404..Export: BibTex EndNote

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功率器件管壳的热应力分析

王雪梅, 孙学伟, 贾松良

Chin. J. Semicond. 2000, 21(4): 409-413

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(4): 409.

王雪梅, 孙学伟, 贾松良. 功率器件管壳的热应力分析[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 409..Export: BibTex EndNote

王雪梅, 孙学伟, 贾松良. 功率器件管壳的热应力分析[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 409...

InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管

陆大成, 韩培德, 刘祥林, 王晓晖, 汪度, 袁海荣, 王良臣, 徐萍, 姚文卿, 高翠华, 刘焕章, 葛永才, 郑东

Chin. J. Semicond. 2000, 21(4): 414-416

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2000, 21(4): 414.

陆大成, 韩培德, 刘祥林, 王晓晖, 汪度, 袁海荣, 王良臣, 徐萍, 姚文卿, 高翠华, 刘焕章, 葛永才, 郑东. InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 414..Export: BibTex EndNote

陆大成, 韩培德, 刘祥林, 王晓晖, 汪度, 袁海荣, 王良臣, 徐萍, 姚文卿, 高翠华, 刘焕章, 葛永才, 郑东. InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管[J]. Chin. J. Semicond., 2000, 21(4): 414...

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