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Volume 21, Issue 5, May 2000
CONTENTS
High Efficiency Al-Free 980 nm InGaAs/InGaAsP/InGaP Strained Quantum Well Lasers
徐遵图, 杨国文, 张敬明, 马骁宇, 徐俊英, 沈光地, 陈良惠
Chin. J. Semicond.  2000, 21(5): 417-420
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大功率超快半导体光电导开关的触发瞬态特性(英文)
施卫, 赵卫, 孙小卫, LamYeeLoy
Chin. J. Semicond.  2000, 21(5): 421-425
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用于先进 CMOS电路的 150 mm硅外延片外延生长(英文)
王启元, 蔡田海, 郁元桓, 林兰英
Chin. J. Semicond.  2000, 21(5): 426-430
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Unified MOSFET Short Channel Factor Using Variational Method
陈文松, 田立林, 李志坚
Chin. J. Semicond.  2000, 21(5): 431-436
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GaN的RBS/沟道、X射线双晶衍射和光致发光谱
姚冬敏, 辛勇, 王立, 李述体, 熊传兵, 彭学新, 刘念华, 江风益
Chin. J. Semicond.  2000, 21(5): 437-440
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MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较
李娜, 李宁, 陆卫, 窦红飞, 陈张海, 刘兴权, 沈学础, H H Tan, LanFu, C Jagadish, M B Johnston, M Gal
Chin. J. Semicond.  2000, 21(5): 441-444
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微波低噪声SiGe HBT的研制
钱伟, 张进书, 贾宏勇, 林惠旺, 钱佩信
Chin. J. Semicond.  2000, 21(5): 445-450
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深亚微米SOI栅控混合管(GCHT)的准二维电流解析模型
黄如, 王阳元
Chin. J. Semicond.  2000, 21(5): 451-459
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采用CoSi_2SALICIDE结构CMOS/SOI器件辐照特性的实验研究
张兴, 黄如, 王阳元
Chin. J. Semicond.  2000, 21(5): 460-464
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极细沟道NMOSFET中的大幅度随机电报信号噪声
卜惠明, 施毅, 顾书林, 袁晓利, 吴军, 韩平, 张荣, 郑有炓
Chin. J. Semicond.  2000, 21(5): 465-468
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N-掺杂浓度对小尺寸nMOSFETs热载流子寿命的影响
张炯, 李瑞伟
Chin. J. Semicond.  2000, 21(5): 469-472
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超薄外延CoSi_2/n-Si的肖特基势垒接触特性
屈新萍, 茹国平, 徐蓓蕾, 李炳宗
Chin. J. Semicond.  2000, 21(5): 473-479
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垂直入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱光电探测器
李成, 杨沁清, 王红杰, 罗丽萍, 成步文, 余金中, 王启明
Chin. J. Semicond.  2000, 21(5): 480-482
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用于共振腔光电探测器的Si基Bragg反射器
李成, 杨沁清, 朱家廉, 王红杰, 成步文, 余金中, 王启明, 王鲁峰, 彭晔
Chin. J. Semicond.  2000, 21(5): 483-485
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平面阵列光学波导模式特性及其光强传输分析
雷红兵, 欧海燕, 杨沁清, 胡雄伟, 余金中, 王启明
Chin. J. Semicond.  2000, 21(5): 486-490
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常数除法器的设计及其BIST实现
丁保延, 章倩苓
Chin. J. Semicond.  2000, 21(5): 491-495
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边界元法在数模混合集成电路衬底耦合参数提取中的应用
吴智, 黄均鼐, 唐璞山
Chin. J. Semicond.  2000, 21(5): 496-503
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测定硅各向异性腐蚀速率分布的新方法
杨恒, 鲍敏杭, 沈绍群, 李昕欣, 张大成, 武国英
Chin. J. Semicond.  2000, 21(5): 504-508
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半导体硅片的p-n结和铜沉积行为的电化学研究
程璇, 林昌健
Chin. J. Semicond.  2000, 21(5): 509-516
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LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射
刘渝珍, 石万全, 韩一琴, 刘世祥, 赵玲莉, 孙宝银, 叶甜春, 陈梦真
Chin. J. Semicond.  2000, 21(5): 517-520
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