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Volume 23, Issue 11, Nov 2002

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超深亚微米集成电路中的互连问题——低k介质与Cu的互连集成技术

王阳元, 康晋锋

Chin. J. Semicond. 2002, 23(11): 1121-1134

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(11): 1121.

王阳元, 康晋锋. 超深亚微米集成电路中的互连问题——低k介质与Cu的互连集成技术[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1121..Export: BibTex EndNote

王阳元, 康晋锋. 超深亚微米集成电路中的互连问题——低k介质与Cu的互连集成技术[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1121...

980nm垂直腔型面发射和接收器件及列阵的研制(英文)

梁琨, 陈弘达, 杜云, 唐君, 杨晓红, 吴荣汉

Chin. J. Semicond. 2002, 23(11): 1135-1139

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(11): 1135.

梁琨, 陈弘达, 杜云, 唐君, 杨晓红, 吴荣汉. 980nm垂直腔型面发射和接收器件及列阵的研制(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1135..Export: BibTex EndNote

梁琨, 陈弘达, 杜云, 唐君, 杨晓红, 吴荣汉. 980nm垂直腔型面发射和接收器件及列阵的研制(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1135...

异质结双极晶体管高频噪声建模及分析(英文)

王延锋, 吴德馨

Chin. J. Semicond. 2002, 23(11): 1140-1145

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(11): 1140.

王延锋, 吴德馨. 异质结双极晶体管高频噪声建模及分析(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1140..Export: BibTex EndNote

王延锋, 吴德馨. 异质结双极晶体管高频噪声建模及分析(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1140...

利用直接隧穿弛豫谱技术对超薄栅MOS结构中栅缺陷的研究(英文)

霍宗亮, 杨国勇, 许铭真, 谭长华, 段小蓉

Chin. J. Semicond. 2002, 23(11): 1146-1153

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(11): 1146.

霍宗亮, 杨国勇, 许铭真, 谭长华, 段小蓉. 利用直接隧穿弛豫谱技术对超薄栅MOS结构中栅缺陷的研究(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1146..Export: BibTex EndNote

霍宗亮, 杨国勇, 许铭真, 谭长华, 段小蓉. 利用直接隧穿弛豫谱技术对超薄栅MOS结构中栅缺陷的研究(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1146...

采用非对称结构和注Ge的部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应(英文)

刘运龙, 刘新宇, 韩郑生, 海潮和, 钱鹤

Chin. J. Semicond. 2002, 23(11): 1154-1157

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(11): 1154.

刘运龙, 刘新宇, 韩郑生, 海潮和, 钱鹤. 采用非对称结构和注Ge的部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1154..Export: BibTex EndNote

刘运龙, 刘新宇, 韩郑生, 海潮和, 钱鹤. 采用非对称结构和注Ge的部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1154...

新的非平面Flash Memory结构(英文)

欧文, 李明, 钱鹤

Chin. J. Semicond. 2002, 23(11): 1158-1161

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(11): 1158.

欧文, 李明, 钱鹤. 新的非平面Flash Memory结构(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1158..Export: BibTex EndNote

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基于图聚集算法的寄存器传输级ALU工艺映射算法(英文)

周海峰, 林争辉, 曹炜

Chin. J. Semicond. 2002, 23(11): 1162-1167

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(11): 1162.

周海峰, 林争辉, 曹炜. 基于图聚集算法的寄存器传输级ALU工艺映射算法(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1162..Export: BibTex EndNote

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不同Mg掺杂浓度的GaN材料的光致发光

周晓滢, 郭文平, 胡卉, 孙长征, 罗毅

Chin. J. Semicond. 2002, 23(11): 1168-1172

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(11): 1168.

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周晓滢, 郭文平, 胡卉, 孙长征, 罗毅. 不同Mg掺杂浓度的GaN材料的光致发光[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1168...

Meirhaeghe Ni/Pd/Si固相反应及NiSi热稳定性增强研究

屈新萍, 茹国平, 李炳宗, C Detavernier, R Van

Chin. J. Semicond. 2002, 23(11): 1173-1177

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(11): 1173.

屈新萍, 茹国平, 李炳宗, C Detavernier, R Van. Meirhaeghe Ni/Pd/Si固相反应及NiSi热稳定性增强研究[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1173..Export: BibTex EndNote

屈新萍, 茹国平, 李炳宗, C Detavernier, R Van. Meirhaeghe Ni/Pd/Si固相反应及NiSi热稳定性增强研究[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1173...

热退火γ-Al_2O_3/Si异质结构薄膜质量改进

谭利文, 王俊, 王启元, 郁元桓, 刘忠立, 邓惠芳, 王建华, 林兰英

Chin. J. Semicond. 2002, 23(11): 1178-1181

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(11): 1178.

谭利文, 王俊, 王启元, 郁元桓, 刘忠立, 邓惠芳, 王建华, 林兰英. 热退火γ-Al_2O_3/Si异质结构薄膜质量改进[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1178..Export: BibTex EndNote

谭利文, 王俊, 王启元, 郁元桓, 刘忠立, 邓惠芳, 王建华, 林兰英. 热退火γ-Al_2O_3/Si异质结构薄膜质量改进[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1178...

利用AFM动态电场在Si表面实现纳米氧化结构

胡晓东, 郭彤, 胡小唐

Chin. J. Semicond. 2002, 23(11): 1182-1186

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(11): 1182.

胡晓东, 郭彤, 胡小唐. 利用AFM动态电场在Si表面实现纳米氧化结构[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1182..Export: BibTex EndNote

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X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比

黎建明, 屠海令, 胡广勇, 王超群, 郑安生, 钱嘉裕

Chin. J. Semicond. 2002, 23(11): 1187-1191

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(11): 1187.

黎建明, 屠海令, 胡广勇, 王超群, 郑安生, 钱嘉裕. X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1187..Export: BibTex EndNote

黎建明, 屠海令, 胡广勇, 王超群, 郑安生, 钱嘉裕. X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1187...

量子共振隧穿二极管的频率特性与分析

张世林, 牛萍娟, 梁惠来, 郭维廉, 赵振波, 郝景臣, 王文君, 周均铭, 黄绮

Chin. J. Semicond. 2002, 23(11): 1192-1195

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(11): 1192.

张世林, 牛萍娟, 梁惠来, 郭维廉, 赵振波, 郝景臣, 王文君, 周均铭, 黄绮. 量子共振隧穿二极管的频率特性与分析[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1192..Export: BibTex EndNote

张世林, 牛萍娟, 梁惠来, 郭维廉, 赵振波, 郝景臣, 王文君, 周均铭, 黄绮. 量子共振隧穿二极管的频率特性与分析[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1192...

硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析

邓晓清, 杨沁清, 王红杰, 胡雄伟, 王启明

Chin. J. Semicond. 2002, 23(11): 1196-1200

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(11): 1196.

邓晓清, 杨沁清, 王红杰, 胡雄伟, 王启明. 硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1196..Export: BibTex EndNote

邓晓清, 杨沁清, 王红杰, 胡雄伟, 王启明. 硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1196...

新型铁电不挥发性逻辑电路的分析和实现

汤庭鳌, 陈登元, 汤祥云, 程君侠, 虞惠华

Chin. J. Semicond. 2002, 23(11): 1201-1206

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(11): 1201.

汤庭鳌, 陈登元, 汤祥云, 程君侠, 虞惠华. 新型铁电不挥发性逻辑电路的分析和实现[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1201..Export: BibTex EndNote

汤庭鳌, 陈登元, 汤祥云, 程君侠, 虞惠华. 新型铁电不挥发性逻辑电路的分析和实现[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1201...

氮化H_2-O_2合成薄栅介质的击穿特性

刘运龙, 刘新宇, 韩郑生, 海潮和, 钱鹤

Chin. J. Semicond. 2002, 23(11): 1207-1210

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(11): 1207.

刘运龙, 刘新宇, 韩郑生, 海潮和, 钱鹤. 氮化H_2-O_2合成薄栅介质的击穿特性[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1207..Export: BibTex EndNote

刘运龙, 刘新宇, 韩郑生, 海潮和, 钱鹤. 氮化H_2-O_2合成薄栅介质的击穿特性[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1207...

一种敏感的MOSFET ESD潜在损伤检测方法

马仲发, 庄奕琪, 杜磊, 花永鲜, 吴勇

Chin. J. Semicond. 2002, 23(11): 1211-1216

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(11): 1211.

马仲发, 庄奕琪, 杜磊, 花永鲜, 吴勇. 一种敏感的MOSFET ESD潜在损伤检测方法[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1211..Export: BibTex EndNote

马仲发, 庄奕琪, 杜磊, 花永鲜, 吴勇. 一种敏感的MOSFET ESD潜在损伤检测方法[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1211...

金属Ni诱导横向晶化的结构及工艺进程的优化(英文)

卓铭, 徐秋霞

Chin. J. Semicond. 2002, 23(11): 1217-1223

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(11): 1217.

卓铭, 徐秋霞. 金属Ni诱导横向晶化的结构及工艺进程的优化(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1217..Export: BibTex EndNote

卓铭, 徐秋霞. 金属Ni诱导横向晶化的结构及工艺进程的优化(英文)[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1217...

IC测试系统精密定时器的新结构

王东辉, 施映, 林雨

Chin. J. Semicond. 2002, 23(11): 1224-1227

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(11): 1224.

王东辉, 施映, 林雨. IC测试系统精密定时器的新结构[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1224..Export: BibTex EndNote

王东辉, 施映, 林雨. IC测试系统精密定时器的新结构[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1224...

带偏差约束的时钟线网的拓扑构造和优化

刘毅, 洪先龙, 蔡懿慈

Chin. J. Semicond. 2002, 23(11): 1228-1232

Abstract PDF Cited by ()

null. null[J]. Chin. Journal of Semiconductors, 2002, 23(11): 1228.

刘毅, 洪先龙, 蔡懿慈. 带偏差约束的时钟线网的拓扑构造和优化[J]. Chin. J. Semicond., 2002, 23(11): 1228..Export: BibTex EndNote

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