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Volume 1, Issue 3, Mar 1980

• CONTENTS

  硅中杂质能级的理论计算

  陆栋, 陆奋

  Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 173
  

  非晶态硅薄膜的制备及其肖特基势垒的研究

  陈坤基, 何宇亮, 杜家方

  Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 179
  

  Ge对非晶硫系化合物半导体低温跳跃电导的影响

  陈光华, 王印月, 吴锦华, 甘润今, 张仿清

  Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 187
  

  铒离子注入的硫化锌的退火研究

  虞家琪, F.J.Bryant

  Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 192
  

  椭圆偏光法研究砷离子注入硅的损伤和退火

  莫党, 卢因诚, 李旦晖, 刘尚合, 卢武星

  Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 198
  

  Gunn器件中掺杂梯度引起的静止畴的计算机模拟

  王守武, 潘国雄, 王重云

  Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 204
  

  平面扩散砷化镓变容管

  田牧

  Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 220
  

  直接从MOS结构C-t曲线计算少数载流子体产生寿命的新方法

  程文超, 黄振岗

  Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 228
  

  四毫米GaAs肖特基势垒二极管及混频器

  混频器研制组

  Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 234
  

  一种新的金属膜干法刻蚀技术

  韩阶平, 吕秀英, 杨占坤, 胥兴才

  Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 247
  

  离子注入无显影刻蚀技术

  王培大, 韩阶平, 裴荣祥, 洪啸吟

  Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 249
  

  激光退火对硅氧化层错的抑制作用

  鲍希茂, 嵇福权, 黄信凡, 陈南斗

  Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 251
  

  光电压光谱法测定磷砷化镓外延层的组成(二)

  邱德仁, 汪乃兴

  Chin. J. Semicond.  1980, 1(3): 254
  

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