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Volume 3, Issue 2, Feb 1982
CONTENTS
用C-V法同时测量半导体中深中心和浅杂质的浓度分布
秦国刚, 杜永昌, 张玉峰
Chin. J. Semicond.  1982, 3(2): 89-94
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用X射线双晶及三晶衍射仪测量晶片的研磨和抛光损伤
许顺生, 徐景阳, 谭儒环
Chin. J. Semicond.  1982, 3(2): 95-101
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饱和电容法快速确定体产生寿命和表面产生速度
张秀淼
Chin. J. Semicond.  1982, 3(2): 102-106
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应用SEM和V-I特性研究1.3μmInGaAsP/InP DH激光器中掺杂的影响
葛玉如, 高淑芬, 王莉, 汪孝杰, 张盛廉, 朱龙德
Chin. J. Semicond.  1982, 3(2): 107-112
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DH激光器电光延迟时间与注入脉冲电流的关系及其测量
王守武, 赵礼庆, 张存善, 邓生贵
Chin. J. Semicond.  1982, 3(2): 113-119
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LC3型离子注入机的研制和应用
屈保春
Chin. J. Semicond.  1982, 3(2): 120-126
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LSI CAD制版中的基本单元自动选择
庄文君
Chin. J. Semicond.  1982, 3(2): 127-135
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硅中注入高剂量氮离子的研究
孙慧玲, 陈鸣, 王培大
Chin. J. Semicond.  1982, 3(2): 136-140
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InGaSn/Si接触电势差的测量
徐至中, 梁励芬
Chin. J. Semicond.  1982, 3(2): 141-143
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关于ZnO的价带结构
张光寅
Chin. J. Semicond.  1982, 3(2): 144-146
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微波无损伤法测半导体材料电阻率
王宗欣, 赵惠芬, 胡鸣华
Chin. J. Semicond.  1982, 3(2): 147-150
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Si-SiO_2-Al_2O_3结构的电子束辐照效应
林理彬, 田景文, 谢建华, 陈伯英, 唐方元, 熊文树, 林茂清
Chin. J. Semicond.  1982, 3(2): 151-154
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砷化镓掺硫气相外延
吴赛娟, 仇兰华, 陆大成, 于清, 王瑞林
Chin. J. Semicond.  1982, 3(2): 155-158
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GaAs-GaAlAs DH激光器暗线(DLD)的观察
陈新之, 孙体忠, 乔墉
Chin. J. Semicond.  1982, 3(2): 159-161
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液相外延生长1.3μm GaInAsP/InP双异质结
邬祥生, 杨易, 李允平, 唐嫱妹, 水海龙
Chin. J. Semicond.  1982, 3(2): 162-165
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用于霍尔器件的LPE-GaAs材料
丁墨元, 施益和, 傅涛, 王岩, 李双喜
Chin. J. Semicond.  1982, 3(2): 166-168
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