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Volume 4, Issue 1, Jan 1983
CONTENTS
赝原子轨道集团方法计算Si和GaAs中的空位
夏建白
Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 1-9
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键环作用对四面体配位半导体的电子态密度的影响
徐家进, 莫党
Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 10-19
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代位式碳在硅单晶中的局域模与红外吸收
陈畅生, 张哲华, 叶亦英
Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 20-28
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高掺杂半导体中补偿程度和注入水平对带尾结构的影响
郭长志, 李国华
Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 29-36
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氧化膜/InGaAsP界面物理性质的研究
陈克铭, 仇兰华, 陈维德
Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 37-46
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非均匀半导体激光器传输特性的理论分析
单永政, 杜宝勋
Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 47-55
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离子注入硅片的CWCO_2激光退火固相外延模型
沈金萱, 屈逢源
Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 56-63
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Al-SiO_2-Si(n)系统的电子辐照效应
包宗明, 张秀淼, 杨恒青, 张增光
Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 64-68
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用真空紫外辐照研究Si-SiO_2界面的氧化层陷阱和界面态
杜瑞瑞, 孙恒慧, 董国胜
Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 69-77
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用AES及椭偏仪研究硅上超薄氧化层
张家慰, 赵正平
Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 78-80
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9微来红外吸收法测定硅单晶中氧含量的标定曲线
李月珍, 何焕南, 赵关弟, 严荣华, 吕庆仁, 祁明维, 章家鼎, 华芝芬
Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 81-85
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光荧光法测定硅中磷、硼含量
孟庆惠, 于鲲, 李永康, 许振嘉, 陈廷杰, 吴灵犀, 徐寿定
Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 86-89
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一神光掩模缺陷检查技术
傅丽珍, 王家楫
Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 90-92
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液相外延生长的Al_xGa_(1-X)As中Al组分分布及少子扩散长度的研究
刘宏勋, 陈娓兮, 虞丽生
Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 93-96
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反应离子束刻蚀及其应用
金维新, 孟宪光, 尤大伟, 胥兴才
Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 97-100
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InGaAsP/InP双异质结发光管光功率的温度和饱和特性
张桂成, 水海龙
Chin. J. Semicond.  1983, 4(1): 101-104
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