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Volume 15, Issue 10, Oct 1994
CONTENTS
GaAs/Al0.4Ga0.6As多量子阱红外探测器光吸收计算
范卫军,夏建白
Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 655-659
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InGaAsSb四元固溶体的团簇效应
童玉珍,杨锡震,王占国,周伯骏
Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 660-664
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分子束外延GaAs1-xSbx/GaAs及界面失配研究
阎春辉,郑海群,范缇文,孔梅影,曾一平,黄运衡,朱世荣,孙殿照
Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 665-669
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本文以开发长波长半导体光电子材料为目的,对GaAs1-xSb/GaAs这一大失配异质结材料开展了较为深人的研究,利用国产MBEIII型设备外延生长了全组分的GaAs1-xSb材料,化学热力学数据分析表明,Sb结合到GaAsSb中的速率比As高得多,实验表明,合金组分可由Sb/Ga束流比控制,也发现Sb束流的支配作用随温度升高而降低.利用TEM和RBS技术研究了异质结界面及外延层的晶体质量,实验表明采用组分阶变的过渡层有效地抑制了界面位错向体层的延伸,可以获得较高晶体质量的外延层.

本文以开发长波长半导体光电子材料为目的,对GaAs1-xSb/GaAs这一大失配异质结材料开展了较为深人的研究,利用国产MBEIII型设备外延生长了全组分的GaAs1-xSb材料,化学热力学数据分析表明,Sb结合到GaAsSb中的速率比As高得多,实验表明,合金组分可由Sb/Ga束流比控制,也发现Sb束流的支配作用随温度升高而降低.利用TEM和RBS技术研究了异质结界面及外延层的晶体质量,实验表明采用组分阶变的过渡层有效地抑制了界面位错向体层的延伸,可以获得较高晶体质量的外延层.

多晶砷化镓薄膜的制备及其性能研究
高元恺,韩爱珍,赵永春,林逸青
Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 670-673
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多孔硅的氢化、氧化与光致发光
张丽珠,段家忯,林军,张伯蕊,毛晋昌,付济时,秦国刚,许振华
Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 674-680
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染色腐蚀多孔硅的光致可见光发光特性
夏永伟,李国花,滕学公,樊志军
Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 681-685
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MOS场效应管的新的电流公式
汤庭鳌,王晓晖,郑大卫
Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 686-693
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基于MBE的GaAlAs/GaAs分布反馈式半导体激光器的制作新工艺
罗毅,张盛忠,司伟民,陈镝,王健华
Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 694-699
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用银膜作反射镜的垂直短腔面发射激光器
陈娓兮,钟勇,蔡兵,赵冀徽,焦鹏飞,王舒民,石志文,高俊华
Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 700-703
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F~++B~+双注入浅结研究
李金华,林成鲁,冒建军,何建军,邹世昌
Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 704-710
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GaAs/AlGaAs双量子阱中量子相干特性的研究
王杏华,郑厚植,李承芳,刘剑,杨小平,余琦
Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 711-715
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Nb/C60/p型Si结构的特性
陈开茅,金泗轩,贾勇强,吴克,李传义,顾镇南,周锡煌
Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 716-720
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研究了Nb/C60/P型Si结构的电学特性.I-V结果表明这一结构具有强整流效应,这意味着在C60/Si界面附近存在着一个势垒,或称C60/Si异质结.高频C-V结果表明在C60层中存有约1012~1013cm-2的可动负离子.这些离子的松弛温度高于350K,冻结温度低于260K,以及在300-370K的测量温度范围内,C60膜的相对介电常数与温度无关,即εC60=3.7±0.1.

研究了Nb/C60/P型Si结构的电学特性.I-V结果表明这一结构具有强整流效应,这意味着在C60/Si界面附近存在着一个势垒,或称C60/Si异质结.高频C-V结果表明在C60层中存有约1012~1013cm-2的可动负离子.这些离子的松弛温度高于350K,冻结温度低于260K,以及在300-370K的测量温度范围内,C60膜的相对介电常数与温度无关,即εC60=3.7±0.1.

低阈值脊形波导单量子阱级联双区激光器
张敬明,徐遵图,杨国文,李世祖,郑婉华,肖建伟,徐俊英,陈良惠
Chin. J. Semicond.  1994, 15(10): 721-726
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