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Volume 15, Issue 1, Jan 1994
CONTENTS
掺杂聚乙炔中的局域电子状态及其特性研究
庞小峰,游寿星
Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 1-9
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生长在Si(001)衬底上的Ge_xSi_(1-x)合金的电子能带结构
徐至中
Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 10-17
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非对称大光腔GaAlAs/GaAs激光器及其特性
康晓黎,宋南辛,朱丽津,李锡华,张银女,陈高庭
Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 18-22
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硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合
季振国, 汪雷,袁骏
Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 23-28
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一种新的硅深槽刻蚀技术研究
钱钢,张利春,阎桂珍,王咏梅,张大成,王阳元
Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 29-34
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铍注入锑化铟快速热退火的研究
张廷庆,刘家璐
Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 35-39
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形成优质Si~+注入SI—GaAs层的研究
李国辉,韩德俊,陈如意,姬成周,王策寰,夏德谦,朱红清
Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 40-47
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离子注入形成SIMOX与SIMNI结构的计算机模拟
施左宇,林成鲁,朱文化,邹世昌
Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 48-54
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雷达动目标检测(MTD)专用集成电路的设计
王月明,徐葭生
Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 55-63
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两种注F能量的栅介质电离辐射响应特性
张国强,严荣良,余学锋,任边远,高文钰,赵元富,胡浴红,王英民
Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 64-66
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用离子集团束技术在Si上外延生长GaAs
余怀之,吕玉林,刘建平,冯德伸
Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 67-70
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纳米硅薄膜界面结构的微观特征
何宇亮,褚一鸣,王中怀,刘湘娜,白春礼
Chin. J. Semicond.  1994, 15(1): 71-74
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