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Volume 16, Issue 11, Nov 1995
CONTENTS
硅离子簇的理论研究
楚天舒,张瑞勤,戴国才
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 805-810
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CdTe(111)表面电子态及其H吸附的电子结构研究
张海峰,李永平,方容川
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 811-814
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H原子吸附对Si(113)表面的影响
张瑞勤,吴汲安,邢益荣
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 815-819
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水分子在Si(100)面上吸附位的确定
张瑞勤,楚天舒,戴国才,吴汲安,邢益荣
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 820-825
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硅分子束外延中硼δ掺杂生长研究
陈祥君,杨宇,龚大卫,陆昉,王建宝,樊永良,盛篪,孙恒慧
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 826-830
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GaN的MOCVD生长
陆大成,汪度,王晓晖,董建荣,刘祥林,高维滨,李成基,李蕴言
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 831-834
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稀磁半导体Cd_(1-x)Fe_xTe的巨法拉第效应
王学忠,王荣明,陈辰嘉,马可军
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 835-841
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埋藏有Ag超微粒子的Cs_2O薄膜光电时间响应的研究
吴锦雷,郭翎健,吴全德
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 842-848
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77K NMOSFET沟道热载流子注入效应
刘卫东,李志坚,刘理天,魏同立
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 849-853
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光泵外腔面发射InGaAs/InP半导体激光器
向望华,町田进,渡部仁贵,山本喜久
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 854-856
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双固相外延技术及高性能1μmCMOS/SOS器件的研究
张兴,石涌泉,路泉,黄敞
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 857-861
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集电极电流密度和基区渡越时间的解析模型
马平西,张利春,王阳元
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 862-868
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三重扩散型IGBT的计算机模拟分析
李如春,陈去非,陈启秀
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 869-873
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α-(Sb_xFe_(1-x))_2O_3半导体的固溶与导电机制的相关性
沈瑜生,张瑞芳,张开舒,刘杏芹
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 874-878
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GaSb晶体的高能N~+注入及其光学性质
郑玉祥,苏毅,周仕明,马宏舟,陈良尧,郑安生,钱佑华,林成鲁,何冶平
Chin. J. Semicond.  1995, 16(11): 879-884
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