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Volume 20, Issue 11, Nov 1999
CONTENTS
温度引起的ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中势阱层和势垒层的反转
李国华, 朱作明, 刘南竹, 韩和相, 汪兆平, 王杰, 王迅
Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 945-951
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LICVD法制备a-Si_3N_4纳米粒子光谱研究
凤雷, 郑韬, 李道火
Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 952-956
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质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响
黄万霞, 林理彬, 曾一平, 潘量
Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 957-962
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垂直腔面发射半导体激光器的电、热和光波导特性
赵一广, 张宇生, 黄显玲
Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 963-970
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电子束蒸镀Y_2O_3-ZrO_2减反射膜用于1.3μm半导体激光器
王浙辉, 林理彬, 卢铁城
Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 971-976
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VDMOS均匀掺杂外延区的优化设计
何进, 王新, 陈星弼
Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 977-982
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CdTe单晶的红外消光特性
杨柏梁, 石川幸雄, 一色实
Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 983-988
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界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响
张兴宏, 程知群, 夏冠群, 徐元森, 杨玉芬, 王占国
Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 989-993
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GaAs双栅MESFET的PSPICE直流模型
程知群, 孙晓玮, 夏冠群
Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 994-998
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SI-GaAs材料的电学补偿
赖占平, 齐德格, 高瑞良, 杜庚娜, 刘晏凤, 刘建宁
Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 999-1003
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用Franz-Keldysh效应研究GaAs表面硫化学钝化
廖友贵, 金鹏, 李乙钢, 张存洲, 潘士宏, 梁基本
Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 1004-1009
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图形衬底上硅区双离子束选择淀积Co研究
吴正龙, 姚振钰, 刘志凯, 张建辉, 秦复光, 林兰英
Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 1010-1014
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硅锥阴极中电子输运的数值模拟
皇甫鲁江, 朱长纯
Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 1015-1021
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掺铂TiO_(2-x)氧敏薄膜的制备和性能
郑嘹赢, 徐明霞, 徐廷献
Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 1022-1025
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Quasi-Thermodynamic
陆大成, 段树坤
Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 1026-1033
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Numerical Analysis of Steady Current and Temperature Distributions and Characteristics of Transverse Mode in VCSEL
Liu Shi'an, Lin Shiming, Kang Xuejun, Cheng Peng, Lu Jianzu, Wang Qiming
Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 1034-1039
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SiC肖特基势垒二极管的研制
张玉明, 张义门, 罗晋生
Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 1040-1043
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铁电PbZr_(0.53)Ti_(0.47)O_3薄膜的磁增强反应离子刻蚀
刘秦, 林殷茵, 吴小清, 张良莹, 姚熹
Chin. J. Semicond.  1999, 20(11): 1044-1048
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