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Volume 25, Issue 12, Dec 2004
Table of Content
CONTENTS
4H-SiC低压热壁CVD同质外延生长及特性(英文)
孙国胜, 高欣, 张永兴, 王雷, 赵万顺, 曾一平, 李晋闽
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1549-1554
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n型和p型4H-SiC的二级喇曼谱(英文)
高欣, 孙国胜, 李晋闽, 王雷, 赵万顺, 张永新, 曾一平
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1555-1560
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4H-SiC埋沟MOSFET的研制(英文)
郜锦侠, 张义门, 张玉明
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1561-1566
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蓝宝石衬底AlGaN/GaN共栅共源微波HEMTs器件(英文)
邵刚, 刘新宇, 和致经, 刘健, 吴德馨
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1567-1572
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SOI热光4×4光开关阵列的研制(英文)
王章涛, 樊中朝, 夏金松, 陈少武, 余金中
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1573-1575
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SiGe共振腔增强型探测器的制备(英文)
李传波, 毛荣伟, 左玉华, 成步文, 时文华, 赵雷, 罗丽萍, 余金中, 王启明
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1576-1579
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新型图形化 SOI LDMOS结构的性能分析(英文)
程新红, 杨文伟, 宋朝瑞, 俞跃辉, 沈达升
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1580-1585
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稀磁半导体(Ga_(1-x)Fe_x)As的磁性及稳定性(英文)
危书义, 闫玉丽, 王天兴, 夏从新, 汪建广
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1586-1590
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基于InGaP/GaAsHBT的10Gbps跨阻放大器(英文)
袁志鹏, 孙海锋, 刘新宇, 吴德馨
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1591-1594
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半导体激光器端面泵浦 Nd∶YAG激光器用In_(0.25)Ga_(0.75) As吸收体被动锁模兼做输出镜(英文)
王勇刚, 马骁宇, 张丙元, 陈檬, 李港, 张志刚
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1595-1598
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GCS法及多晶区量子效应的集约建模(英文)
张大伟, 章浩, 田立林, 余志平
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1599-1605
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基于阳极键合干法刻蚀技术的MEMS隧道加速度计的加工及测试(英文)
董海峰, 郝一龙, 贾玉斌, 闫桂珍, 王颖, 李婷
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1606-1611
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CMOS多相位滤波器的优化与合成(英文)
张子三, 马向鹏, Kolnsberg Stephan, Kokozinski Rainer
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1612-1617
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磁场对GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结系统中束缚极化子的影响
张敏, 班士良
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1618-1623
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硅烷浓度对本征微晶硅材料的影响
朱锋, 张晓丹, 赵颖, 魏长春, 孙建, 耿新华
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1624-1627
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衬底温度对常压MOCVD生长的ZnO单晶膜的性能影响
熊传兵, 方文卿, 蒲勇, 戴江南, 王立, 莫春兰, 江风益
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1628-1633
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Cu/Zr-Si-N/Si金属化系统制备及退火气氛对其热稳定性的影响
王颖, 朱长纯, 宋忠孝, 刘君华
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1634-1638
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GaN-MOCVD设备反应室流场的CFD数值仿真
刘奕, 陈海昕, 符松
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1639-1646
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利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点
张春玲, 赵凤瑷, 徐波, 金鹏, 王占国
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1647-1651
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厚表层Si柔性绝缘衬底上SiC薄膜的外延生长
王晓峰, 王雷, 赵万顺, 孙国胜, 黄风义, 曾一平
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1652-1657
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低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究
宋书林, 陈诺夫, 周剑平, 尹志岗, 李艳丽, 杨少延, 刘志凯
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1658-1661
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ZnO/SiC/Si(111)异质外延
朱俊杰, 林碧霞, 姚然, 赵国亮, 傅竹西
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1662-1665
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用于SiGeHBT器件的UHV/CVDn~-型硅外延研究
黄文韬, 陈长春, 李希有, 沈冠豪, 张伟, 刘志弘, 陈培毅, 钱佩信
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1666-1671
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4H-SiC衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的研制
郝跃, 杨燕, 张进城, 王平
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1672-1674
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双极晶体管的低剂量率电离辐射效应
张华林, 陆妩, 任迪远, 郭旗, 余学锋, 何承发, 艾尔肯, 崔帅
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1675-1679
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脊形结构GaN蓝光激光器的热模拟分析
叶晓军, 种明, 陈良惠
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1680-1684
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小功率LED光源封装光学结构的Monte Carlo模拟及实验分析
于映, 颜峻
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1685-1689
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高可靠性P-LDMOS研究
孙智林, 孙伟锋, 易扬波, 陆生礼
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1690-1694
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阶梯分布埋氧层固定电荷SOI高压器件新结构和耐压模型
郭宇锋, 李肇基, 张波, 方健
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1695-1700
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多相DC-DC主板电源控制器的设计
郭国勇, 石秉学
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1701-1705
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用于解PDE的全方向快速小波配置法
傅亚炜, 章倩苓
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1706-1710
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开关信号理论与绝热CMOS电路设计
杭国强
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1711-1716
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恒压应力下超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质与SiO_2栅介质寿命比较
林钢, 徐秋霞
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1717-1721
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纳米级精细线条图形的微细加工
任黎明, 王文平, 陈宝钦, 周毅, 黄如, 张兴
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1722-1725
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ULSI铜多层布线中钽阻挡层CMP抛光液的研究与优化
邢哲, 刘玉岭, 檀柏梅, 王新, 李薇薇
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1726-1729
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基于双肖特基接触GaN薄膜特性参数测试新方法
罗谦, 杨谟华, 杜江锋, 梅丁蕾, 王良臣, 白云霞
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1730-1734
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用飞秒激光触发GaAs光电导体产生THz电磁波的研究
施卫, 张显斌, 贾婉丽, 李孟霞, 许景周, 张希成
Chin. J. Semicond.  2004, 25(12): 1735-1738
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