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Volume 25, Issue 6, Jun 2004
Table of Content
CONTENTS
MWECR CVD系统中磁场梯度对a-Si:H薄膜沉积速率的影响(英文)
胡跃辉, 吴越颖, 陈光华, 王青, 张文理, 阴生毅
Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 613-619
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AlInAs氧化物限制1.3μm低阈值边发射激光器(英文)
刘志宏, 王圩, 王书荣, 赵玲娟, 朱洪亮, 周帆, 王鲁峰, 丁颖
Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 620-625
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ISM频段中功率功率放大器(英文)
白大夫, 刘训春, 袁志鹏, 钱永学
Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 626-632
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蓝牙收发器中的CMOS低噪声放大器的设计与测试(英文)
黄煜梅, 洪志良
Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 633-638
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单晶纳米硅薄膜的制备及其场发射特性(英文)
王伟明, 郁可, 丁艳芳, 李琼, 朱自强
Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 639-644
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基于双比特算法的新型除法器(英文)
李侠, 孙慧, 章倩苓
Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 645-650
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Ga_xIn_(1-x)P/AlGaInP多量子阱的吸收/反射光谱:多光束干涉的影响与消减
邵军
Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 651-656
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FeS_2薄膜厚度对晶体生长及光吸收特性的作用
张秀娟, 孟亮, 刘艳辉
Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 657-661
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重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷
黄笑容, 杨德仁, 沈益军, 王飞尧, 马向阳, 李立本, 阙端麟
Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 662-667
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直流反应磁控溅射Al,N共掺方法生长p型ZnO薄膜及其特性
袁国栋, 叶志镇, 曾昱嘉, 吕建国, 钱庆, 黄靖云, 赵炳辉, 朱丽萍
Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 668-673
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Si基片上掺Ge SiO_2的火焰水解法制备
郜定山, 李建光, 王红杰, 安俊明, 李健, 夏君磊, 胡雄伟
Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 674-677
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Si衬底和Si-SiO_2-Si柔性衬底上的GaN生长
王军喜, 王晓亮, 刘宏新, 胡国新, 李建平, 李晋闽, 曾一平
Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 678-681
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斜置式方形探针测量单晶断面电阻率分布mapping技术
张艳辉, 孙以材, 刘新福, 陈志永
Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 682-686
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光敏性溶胶-凝胶波导材料
姜永睿, 胡雄伟, 杨沁清, 王红杰, 杨澜, 谢二庆
Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 687-690
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半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性
施卫, 田立强
Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 691-696
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静电驱动悬臂梁数模转换器设计、分析与模拟
王立峰, 黄庆安
Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 697-701
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基于SOI衬底的射频电感优化设计
赵冬燕, 张国艳, 黄如
Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 702-706
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一种能满足MEMS微梁固支边界条件的锚
戎华, 黄庆安, 聂萌, 李伟华
Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 707-710
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GaN基肖特基结构紫外探测器
王俊, 赵德刚, 刘宗顺, 伍墨, 金瑞琴, 李娜, 段俐宏, 张书明, 朱建军, 杨辉
Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 711-714
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DMOS阈值电压二维模型
李泽宏, 张波, 李肇基, 方健, 杨舰
Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 715-719
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一个10位、50MS/s CMOS折叠流水结构A/D转换器
李志刚, 石寅, 于云华, 刘扬
Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 720-725
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新的多比特增量-总和调制器结构
王晓峰, 王正宏, 胡波, 凌燮亭
Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 726-730
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CMOS运算放大器的辐照和退火行为
任迪远, 陆妩, 郭旗, 余学锋, 王明刚, 胡浴红, 赵文魁
Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 731-734
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源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟
赵洪辰, 海潮和, 韩郑生, 钱鹤
Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 735-740
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磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe_2薄膜工艺条件的优化
汤会香, 严密, 张辉, 张加友, 孙云, 薛玉明, 杨德仁
Chin. J. Semicond.  2004, 25(6): 741-744
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