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Volume 7, Issue 1, Jan 1986
CONTENTS
ZnS_xSe_(1-x)单晶的生长和束缚激子谱线的识别
黄锡珉
Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 1-9
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MOSFET反型层二维电子(2DEG)带尾区域的复值电容
赵冷柱
Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 10-17
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多晶硅晶粒度的X光衍射增宽傅里叶分析
林振金, 刘立竹, 龚德纯, 来永春, 王世润
Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 18-23
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MOS模拟集成电路的噪声分析和低噪声设计
王国裕, 南德恒
Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 24-32
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半导体薄片少子寿命和表面复合速度的计算方法
王宗欣, 褚幼令
Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 33-41
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Ag在Si(111)面上吸附的理论研究
车静光, 张开明, 谢希德
Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 42-47
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Ⅲ、Ⅴ族杂质对硅中热施主性质的影响
高小平, 周洁, 许振嘉
Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 48-58
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GaAs中碳的红外吸收及其室温浓度测量
江德生, 宋春英, 郑捷飞, 许振嘉
Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 59-64
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用低能电子衍射研究小面结构——在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体表面的应用
陈平, 侯晓远, 丁训民, 董国胜, 杨曙, 王迅
Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 65-72
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用静态升华法制备CdSe单晶及其性质的观测
孔宏志, 石伟东, 王德昌
Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 73-77
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中子辐照氢气区熔硅单晶退火行为的正电子湮没研究
熊兴民
Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 78-84
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硅中铂能级的DLTS研究
游志朴, 龚敏, 陈继镛, 崔新强
Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 85-88
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n型砷化镓中1.36eV发光峰的研究
张丽珠, 林昭炯, 许惠英, 秦国刚, 王永鸿
Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 89-94
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紫外灵敏的表面型硅光电探测器
张苑岳
Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 95-98
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液相外延空白区现象的观察
周伯骏
Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 99-101
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非晶硅膜爆发结晶中的螺线形成机理
陈治明
Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 102-105
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可望实用的Si(113)晶面
邢益荣
Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 106-108
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中子辐照氢气生长区熔硅中一个新的三斜对称缺陷
吴恩, 吴书祥, 毛晋昌, 秦国刚
Chin. J. Semicond.  1986, 7(1): 109-112
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