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Volume 10, Issue 9, Sep 1989
CONTENTS
Si(113)表面电子结构的研究
张瑞勤, 王家俭, 戴国才, 吴汲安, 张敬平, 邢益荣
Chin. J. Semicond.  1989, 10(9): 645-652
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Ce在Si(111)面上吸附的EHT研究方法
王磊, 叶令
Chin. J. Semicond.  1989, 10(9): 653-658
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Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系的As离子注入和退火
吴春武, 殷士端, 张敬平, 范缇文, 刘家瑞, 朱沛然
Chin. J. Semicond.  1989, 10(9): 659-666
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用离子束混合及快速热处理方法形成钽的硅化物
姚文卿, Heiner Ryssel
Chin. J. Semicond.  1989, 10(9): 667-671
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中子辐照损伤区对硅少数载流子寿命的影响
施毅, 吴凤美, 沈德勋, 程开甲, 王长河
Chin. J. Semicond.  1989, 10(9): 672-679
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一种可编程序逻辑阵列的布局算法
薄建国
Chin. J. Semicond.  1989, 10(9): 680-687
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用于半导体器件瞬态特性研究的大幅度矩形纳秒脉冲发生器
周旋, 鲍秉乾, 李强, 李锦林
Chin. J. Semicond.  1989, 10(9): 688-692
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择优生长的多晶硅压阻统计理论
赵甘鸣, 鲍敏杭
Chin. J. Semicond.  1989, 10(9): 693-701
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非晶硅中的硅氢键与光致亚稳缺陷
秦国刚, 孔光临
Chin. J. Semicond.  1989, 10(9): 702-705
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氨气敏Pd-Ir合金栅MOS晶体管
张维新, 赵玲娟
Chin. J. Semicond.  1989, 10(9): 706-708
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等离子刻蚀铬膜的研究
杨民杰, 张骥华, 孙蓉, 卢平芳, 陈志强
Chin. J. Semicond.  1989, 10(9): 709-711
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1.55μm GaInAsP/InP DFB-DC-PBH激光器
赵嵩山, 马磐, 周宁, 杨新敏, 董志江
Chin. J. Semicond.  1989, 10(9): 712-716
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GaP:N,Zn中等电子陷阱与Zn受主之间的辐射复合
余琦, 张勇, 郑健生, 颜炳章
Chin. J. Semicond.  1989, 10(9): 717-721
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氢在金刚石表面的吸附
徐丹东, 叶令
Chin. J. Semicond.  1989, 10(9): 722-724
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