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Volume 16, Issue 5, May 1995
CONTENTS
在脊形波导级联双区量子阱激光器中皮秒光脉冲的产生
张敬明,徐遵图,杨国文,郑婉华,李世祖,肖建伟,徐俊英,陈良惠
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 321-327
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Ge_(0.5)Si_(0.5)/Si应变层超晶格材料退火稳定性的X射线双晶衍射研究
朱南昌,陈京一,胡文捷,李润身,许顺生,周国良,张翔九,俞鸣人
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 328-333
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AlGaAs/GaAs超晶格界面平整度的X射线双晶衍射研究
庄岩,王玉田,李建中
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 334-338
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用GSMBE法生长匹配型GaInAsP/InP材料及量子阱、面发射激光器结构的研究
林世鸣
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 339-343
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In_(0.6)Ga_(0.4)As/InP应变量子阱的光致发光
高瑛,刘学彦,赵家龙,苏锡安,秦福文,杨树人,刘宝林,陈佰军,刘式墉
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 344-349
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具有金属反射膜的钨丝掩蔽两次质子轰击垂直腔面发射激光器
杜国同,姜秀英,刘素平,刘颖,高鼎三
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 350-353
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GaAs/GaAlAs多量子阱CCTS结构双稳态激光器的实验研究
熊飞克,高文智,吴荣汉,王启明
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 354-357
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光交换中的半导体增益光开关门的研究
张志坚,张朝阳,郭奕理,周炳琨,张权生,吴荣汉
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 358-364
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开关电容阵列滤波器的设计
姜黎,李联
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 365-370
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高纯GaAs的非线性伏安特性
陈忠辉,刘普霖,史国良,陆卫,沈学础
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 371-375
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MNOS电容的辐照吸收特性
刘毓耿,易清明,刘竞云
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 376-379
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低温半导体器件模拟的误差限方法
曹俊诚,魏同立
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 380-384
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CMOS电路抗Latchup性能研究
费新礴,朱正涌
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 385-390
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SiO_2钝化腹对硅/玻璃静电键合的影响
黄庆安,童勤义
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 391-394
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同步辐射光电子能谱研究室温下Na对InP(100)表面氮化反应的影响
季航,赵特秀,王晓平,吴建新,徐彭寿,陆尔东,许振嘉
Chin. J. Semicond.  1995, 16(5): 395-400
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