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Volume 17, Issue 10, Oct 1996
CONTENTS
(Hg,Cd)Te薄腰的LPE生长条件与纵向组分分布
李标,褚君浩,朱基千,陈新强,曹菊英,汤定元
Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 721-728
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通用薄膜双栅SOI MOSFET电流模型
陈占平,魏丽琼,许铭真,谭长华,王阳元
Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 729-734
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直接调制1.3μm DC-PBH珐珀半导体激光器的非线性动力学研究
张正线,林志瑗
Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 735-741
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可用于GaAlAs/GaAs异质结发光器件应力设计的应力分布计算方法
李炳辉,李志宏,韩汝琦,王阳元
Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 742-747
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聚丁二炔晶体中光电导的电场依赖性
陈小华,彭景翠,颜永红
Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 748-752
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可调谐主动锁模半导体激光器实验研究
贾刚,衣茂斌,高鼎三
Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 753-756
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微型固态库仑滴定传感器的研制
陈伟平,王东红,虞惇,王贵华
Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 757-761
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低温半导体器件模拟软件包
王明网,魏同立,李垚,肖志雄
Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 762-768
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微氮直拉硅单晶中氮杂质的施主行为
张溪文,杨建松,李立本,阙端麟
Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 769-774
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Ar~+背面轰击对SiO_xN_y栅介质的n-MOSFET迁移率和跨导的影响
李观启,黄美浅,曾绍鸿,曾旭
Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 775-779
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硅基铁电薄膜的制备和特性研究
陈峥,汤庭鳌
Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 780-783
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利用快速热退火在n-GaAs上形成Ge/PdGe欧姆接触
陈维德,谢小龙,崔玉德,段俐宏,许振嘉
Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 784-788
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注Si~+热氧化SiO_2薄膜的蓝光发射及其退火特性
廖良生,鲍希茂,郑祥钦,李宁生,闵乃本
Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 789-792
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自组织生长InAs量子点发光的温度特性
吕振东,杨小平,袁之良,徐仲英,郑宝真,许继宗,陈弘,黄绮,周均铭,王建农,王玉琦,葛惟昆
Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 793-796
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半导和非半导性BaTiO_3陶瓷电声像衬度来源的差异
张冰阳,杨阳,江福明,惠森兴,姚烈,殷庆瑞,钱梦禄
Chin. J. Semicond.  1996, 17(10): 797-800
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