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Volume 25, Issue 10, Oct 2004
Table of Content
CONTENTS
HfO_2 Gate Dielectrics for Future Generation of CMOS Device Application
H Y Yu, J F Kang, Ren Chi, M F Li, D L Kwong
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1193-1204
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可用于Ⅲ族氮化物生长的50mm 3C-SiC/Si(111)衬底的制备(英文)
孙国胜, 张永兴, 高欣, 王军喜, 王雷, 赵万顺, 王晓亮, 曾一平, 李晋闽
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1205-1210
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热氧化磁控溅射金属锌膜合成一维ZnO纳米棒(英文)
石礼伟, 李玉国, 王强, 薛成山, 王书运
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1211-1214
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一种适用于短沟道LDD MOSFET参数提取的改进方法(英文)
于春利, 郝跃, 杨林安
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1215-1220
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应用400℃低温Si技术制备应变Si沟道pMOSFET(英文)
梅丁蕾, 杨谟华, 李竞春, 于奇, 张静, 徐婉静, 谭开洲
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1221-1226
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超薄体MOSFET的结构优化(英文)
王文平, 黄如, 张国艳
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1227-1232
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用800nm表面态方法和低温方法结合吸收区的半导体可饱和吸收镜实现掺钛蓝宝石激光克尔镜锁模(英文)
王勇刚, 马骁宇, 曹士英, 张志刚
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1233-1237
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BV_(CBO)为23V且f_T为7GHz30叉指微波功率SiGe HBT(英文)
熊小义, 张伟, 许军, 刘志宏, 陈长春, 黄文韬, 李希有, 钟涛, 钱佩信
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1238-1242
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逆导型GCT关键参数的设计考虑(英文)
王彩琳, 高勇
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1243-1248
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应用双电场减小阳极键合过程中MEMS器件可动部件的损伤(英文)
杨道虹, 徐晨, 沈光地
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1249-1252
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室温和350℃下注Mn的GaAs/AlGaAs超晶格的磁学性质
王春华, 陈涌海, 王占国
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1253-1257
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Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜和MgZnO/ZnO异质结构的光学性质
吴春霞, 吕有明, 申德振, 李炳辉, 张振中, 刘益春, 张吉英, 范希武
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1258-1263
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掺氮类金刚石薄膜的电化学C-V研究
程翔, 陈朝, 徐富春, 刘铁林
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1264-1268
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单晶硅衬底材料中的消光衍射
黄代绘, 李卫, 冯良桓, 朱居木
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1269-1272
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高温快速热处理对氧沉淀消融的作用
林磊, 杨德仁, 马向阳, 李立本, 阙端麟
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1273-1276
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一个描述硅原子团簇退火行为的模型
于民, 黄如, 张兴, 王阳元, Kunihiro Suzuki, Hideki Oka
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1277-1280
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基于蓝宝石衬底的高性能AlGaN/GaN二维电子气材料与HEMT器件
张进城, 郝跃, 王冲, 王峰祥
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1281-1284
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AlGaN/GaN材料HEMT器件优化分析与I-V特性
祃龙, 王燕, 余志平, 田立林
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1285-1290
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1GHz 0.5μm CMOS低噪声放大器的设计
姚飞, 成步文
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1291-1295
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考虑源漏串联电阻时6H-SiC PMOSFET解析模型
郜锦侠, 张义门, 张玉明
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1296-1300
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CdSe核辐射探测器中的MIS接触电极
金应荣, 朱世富, 赵北君, 陈松林, 何福庆
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1301-1305
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超薄SiO_2栅介质厚度提取与分析
谭静荣, 许晓燕, 黄如, 程行之, 张兴
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1306-1310
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硅基二氧化硅保偏光波导起偏器的设计
李蔚, 刘德明, 黄德修
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1311-1314
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SOI热光调制器
王章涛, 樊中朝, 夏金松, 陈少武, 余金中
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1315-1318
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三维半导体GaAs量子阱微腔中的腔极化激元
刘文楷, 林世鸣, 安艳伟, 张存善
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1319-1323
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SOI热光开关调制区结构与速度和功耗关系的有限元法分析
刘敬伟, 王小龙, 陈少武, 余金中
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1324-1330
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7.3GHz 0.18μm CMOS注入式锁相环电路
王骏峰, 冯军, 袁晟, 熊明珍, 王志功
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1331-1334
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0.2μmT形栅技术在10Gbps激光驱动电路研制中的应用
张海英, 刘训春, 罗明雄, 刘洪民, 王润梅
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1335-1337
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用于模拟电路行为级建模的自动压扩子波方法
王健, 曾璇, 陶俊, 童家榕
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1338-1344
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隔离技术对SOI PMOSFET中空穴迁移率的影响
赵洪辰, 海潮和, 韩郑生, 钱鹤
Chin. J. Semicond.  2004, 25(10): 1345-1348
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