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Volume 25, Issue 7, Jul 2004
Table of Content
CONTENTS
AlGaInAs-InP材料系1550nm偏振无关半导体光放大器(英文)
马宏, 朱光喜, 易新建
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 745-748
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一种DC～5GHz串联微波开关的温度特性和功率处理能力的测试与分析(英文)
吕苗, 赵正平, 娄建忠, 顾洪明, 胡小东, 李倩
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 749-755
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高性能新结构InGaP/GaAs异质结双极型晶体管(英文)
白大夫, 刘训春, 王润梅, 袁志鹏, 孙海锋
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 756-761
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SDH系统STM-16速率级CMOS注入同步环形振荡器(英文)
刘丽, 王志功, 林其松, 熊明珍, 章丽
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 762-765
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一种用于暗域交替式相移掩模设计的自适应版图划分方法(英文)
王迪, 吴为民, 洪先龙
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 766-770
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一种分段线性补偿的带隙基准(英文)
王红义, 来新泉, 李玉山, 李先锐
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 771-777
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包含衬底电流的LDD MOSFET输出I-V特性的经验模型分析(英文)
于春利, 郝跃, 杨林安
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 778-783
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大规模混合模式初始详细布局算法(英文)
周强, 罗丽娟, 洪先龙, 周汉斌
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 784-789
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磁场调制下的双电子量子点qubit
陈早生, 孙连亮, 李树深
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 790-793
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利用固相反应法在硅片上制备硅酸锌发光薄膜及表征
季振国, 刘坤, 向因, 宋永梁, 叶志镇
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 794-797
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杂质对单晶硅材料硬度的作用
李东升, 杨德仁, 阙端麟
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 798-803
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ZnO纳米岛的MOCVD自组装生长
周昕, 顾书林, 叶建东, 顺明, 秦锋, 刘伟, 胡立群, 张荣, 施毅, 郑有炓
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 804-808
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Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的低压MOCVD生长与性质
刘伟, 顾书林, 叶建东, 朱顺明, 秦锋, 周昕, 刘松民, 胡立群, 张荣, 施毅, 郑有炓
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 809-813
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具有复合埋层的新型SIMON材料的制备
易万兵, 陈猛, 张恩霞, 刘相华, 陈静, 董业民, 金波, 刘忠立, 王曦
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 814-818
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硼离子选择注入制备多孔硅微阵列
陈少强, 邵丽, 王伟明, 朱建中, 朱自强
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 819-823
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双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件
昝育德, 王俊, 李瑞云, 韩秀峰, 王建华, 于芳, 刘忠立, 王玉田, 王占国, 林兰英
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 824-830
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发射极镇流电阻对In_(0.49)Ga_(0 .51)P/GaAs HBT特性的影响
石瑞英, 孙海锋, 袁志鹏, 罗明雄, 汪宁
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 831-835
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双异质结双平面掺杂HEMT器件的电荷控制模型
陈震, 刘新宇, 吴德馨
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 836-840
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HfO_2高k栅介质漏电流机制和SILC效应
王成刚, 韩德栋, 杨红, 刘晓彦, 王玮, 王漪, 康晋锋, 韩汝琦
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 841-846
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非制冷热释电薄膜红外探测器热绝缘结构的研制
李靓, 姚熹, 张良莹
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 847-851
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高精度带隙基准电压源的实现
江金光, 王耀南
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 852-857
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SiON对Si基SiO_2AWG偏振补偿的数值分析
安俊明, 郜定山, 李健, 李建光, 王红杰, 胡雄伟
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 858-862
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硅基纳机电探针及其敏感和执行特性
杨尊先, 李昕欣, 王跃林, 鲍海飞, 刘民, 陆德仁
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 863-868
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用改进的遗传算法精确提取GaAs MESFET小信号等效电路参数
张有涛, 夏冠群, 高建峰, 李拂晓, 铁宏安, 杨乃彬
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 869-873
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vf-BGA封装焊球热疲劳可靠性的研究
和平, 彭瑶玮, 乌健波, 孟宣华, 何国伟
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 874-878
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深亚微米设计中天线效应的消除
杨旭, 黄令仪, 叶青, 周玉梅
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 879-883
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一种提高热氧化均匀度的方法
张霞
Chin. J. Semicond.  2004, 25(7): 884-888
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