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Volume 10, Issue 1, Jan 1989
CONTENTS
ZnSe_(1-x)S_x中3d过渡金属杂质施主能级
顾一鸣, 黄明竹, 汪克林
Chin. J. Semicond.  1989, 10(1): 1-7
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硅表面原子芯态能级的化学位移
邢益荣, 钟学富
Chin. J. Semicond.  1989, 10(1): 8-11
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In_(0.25)Ga_(0.75)As/GaAs应变异质结的离子沟道分析
殷士端, 吴春武, 张敬平, 刘家瑞, 朱沛然
Chin. J. Semicond.  1989, 10(1): 12-17
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SI~-、n-GaAs正电子湮没特性的研究
吴凤美, 沈德勋, 滕敏康, 陈岭, 唐杰, 张德宏
Chin. J. Semicond.  1989, 10(1): 18-23
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Pt-Si界面的椭偏光谱响应及PtSi的光学性质
陈土培, 黄炳忠
Chin. J. Semicond.  1989, 10(1): 24-30
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VLSI中双层布线导孔数的优化算法
李英梦, 唐璞山
Chin. J. Semicond.  1989, 10(1): 31-38
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CEXTOR——一个适合MOS集成电路工艺的电路提取程序
朱华, 唐璞山, 章开和, 凌燮亭
Chin. J. Semicond.  1989, 10(1): 39-46
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晶体管PN结缺陷形成的G-R噪声研究
戴逸松
Chin. J. Semicond.  1989, 10(1): 47-54
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全集成式流量传感器
黄金彪, 李斌, 童勤义, 周明
Chin. J. Semicond.  1989, 10(1): 55-61
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采用离子注入方法调整和控制氢离子敏场效应管(pH-ISFET)阈值电压
汪正孝
Chin. J. Semicond.  1989, 10(1): 62-66
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利用静止畴原理制作的高灵敏度新型GaAs Hall器件
郑一阳
Chin. J. Semicond.  1989, 10(1): 67-71
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激光结晶a-Si:H SOI离子注入和快速退火
顾清, 鲍希茂
Chin. J. Semicond.  1989, 10(1): 72-75
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太空生长掺Te-GaAs单晶的结构缺陷观测
蒋四南, 范缇文, 李成基, 林兰英
Chin. J. Semicond.  1989, 10(1): 76-81
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