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Volume 15, Issue 8, Aug 1994
CONTENTS
在线性型分子晶体中的局域性集体激发特性
庞小峰
Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 511-517
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CoSi2可望成为GaAs MESFET自对准工艺中的栅极材料
金高龙,陈维德,许振嘉
Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 518-523
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Co、Ti/Si1-xGex薄膜快速退火固相反应结构和组分研究
亓文杰,李炳宗,黄维宁,顾志光,张翔九,盛篪,胡际璜,吕宏强,卫星,沈孝良
Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 524-532
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用离子束辅助淀积多层薄膜技术合成Co-Si化合物薄膜的研究
杨杰,阎忻水,陶琨,范玉殿
Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 533-539
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Ar~+激光辐照对GaAs(100)表面硫钝化的影响
朱永强,张桂墙,蔡颂仪,郝炳权
Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 540-543
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CoSi_2薄膜形成过程中的反应机制
何杰,顾诠,陈维德,许振嘉
Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 544-550
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GTR电流增益的二维数值分析
高勇,赵旭东,陈治明
Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 551-557
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晶体管非工作期失效率预计
杨家铿,翁寿松
Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 558-564
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Extremely low threshold current density strained InGaAs/AlGaAs quantum well lasers by molecular beam epitaxy
Yang Guowen, Xu Junying, Xiao Jianwei, Xu Zuntu, Zhang Jingmin, Zhang Wanhua, Zeng Yiping and Chen Lianhui
Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 565-568
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多孔化PECVD硅薄膜的室温光致发光
王燕,廖显伯,潘广勤,孔光临
Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 569-572
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离子辐照对多孔硅性质的影响
杨海强,阎锋,官浩,鲍希茂
Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 573-576
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GaAs-AlxGa1-xAs异质结中二维热电子的负磁阻效应
程文超,朱景兵,李月霞,宋爱民,郑厚植
Chin. J. Semicond.  1994, 15(8): 577-582
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