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Volume 17, Issue 7, Jul 1996

    CONTENTS

  • 半导体中轻杂质局域振动模的局域性效应

    陆卫,徐文兰,沈学础

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(7): 481

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    通过对半导体中轻杂质及其周围原子的局域声子态密度求解,获得了轻杂质引起的局域模的局域性与质量亏损因子之间的关系,并证明,计人模式的局域度的质量亏损模型可以获得与实验结果吻合的局域模频率.

  • 在磁场中的Bridgman-Hg_(1-x)Cd_xTe晶体生长数值模拟研究

    王培林,张国艳,周士仁

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(7): 485

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    对垂直Bridgman-Hg1-xCdxTe晶体生长系统,用数值模拟方法研究了与晶锭轴同方向的恒定磁场对熔体中温度场、流场、浓度场及s-l界面产生的影响,介绍了边界条件的处理方法.结果表明,随着磁场强度的增加,熔体中的热对流强度逐渐减弱,s-l界面逐渐向上移动并趋于平坦.

  • InGaAs/GaAs应变层量子阱激光器深中心行为

    卢励吾,封松林,周洁,杨国文,徐俊英,郭春伟

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(7): 493

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    应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)和二次液相外延(LPE)生长的InGaAs/GaAs应变层量子季阱激光器深中心行为.在MBE激光器的n-AlxGa1-xAs组分缓变层和限制层里,除众所周知的DX中心外,还观察到有较大俘获截面的深(空穴、电子)陷阱及其相互转化.这些陷阱可能分布在x从0到0.40和x—0.40的n-AlxGa1-xAs层里x值不连续的界面附近.而在LPE激光器的n-AlxGa1-xAs组分缓变层和限制层里,DX中心浓度明显减少,且深(空穴、电子)陷阱消失

  • 窄发散角量子阱激光器的结构设计与分析

    杨国文,徐俊英,张敬明,徐遵图,陈良惠,王启明

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(7): 500

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    本文对GaAs/AlGaAs量子阱结构激光器中重要的结构参数与远场垂直发散角的关系作了系统的理论计算与分析,提出了实现20°~30°垂直发散角的有效途径,并同时研究了对激光器的光功率限制因子、阈值电流密度等重要参数的影响.

  • 微氮硅单晶中新施主的形成特性

    杨德仁,樊瑞新,李立本,阙端麟

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(7): 506

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    借助于电学测量和低温(8K)红外分析技术,研究了微氮硅单晶中新施主的形成特性在650℃长时间热处理后,微氮硅单晶不产生新施主,其中氮破坏了新施主的可能形核中心低温450℃预退火能促进新施主生成,而高温1050℃预退火样品则同样没有新施主生成.

  • 扫描隧道显微镜重掺硅(111)表面微缺陷研究

    刘鸿飞,秦福,朱悟新,尤重远,陈开茅

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(7): 513

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    利用电化学扫描隧道显微镜(EC-STM)初步研究了重掺锑硅(111)抛光片表面的微结构.多数硅晶片表面不同部位的STM形貌相表明,表面处理过程产生的微缺陷远比晶体生长过程产生的微缺陷多;粗糙度约为几个纳米的大面积平整区域与面积虽小但缺陷密度很高而且无规则分布的微区共存.微缺陷密度与晶体完整性、掺杂浓度和抛光条件有关.轻掺锑硅(111)表面相对平整,微结构尺寸较大(100nm左右)边缘较平滑;重掺锑硅表面微缺陷密度很高,结构复杂,平整度明显降低.表面机械损伤,杂质条纹,过腐蚀等缺陷密度通过优化表面抛光条件可

  • 电子束辐照对InP(100)表面硫钝化的增强作用

    陈维德,李秀琼,段俐宏,谢小龙

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(7): 518

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    采用含有过量硫的(NH4)2Sx对InP(100)表面进行化学钝化和辉光放电电子束辐照处理,液氮下光致发光强度比未辐照的光致发光强度提高了1.5倍,比未钝化的提高了5倍.利用X射线光电子谱研究了电子辐照对InP表面硫钝化的影响.结果表明,硫钝化InP表面经电子束辐照可以促使S与InP中的In更好的化合.

  • Si_3N_4绝缘栅中两种表面基对pH-ISFET器件敏感特性的影响

    牛蒙年,丁辛芳,童勤义

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(7): 522

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    在表面基模型理论基础上,本文研究了含两种表面基的Si3N4绝缘体材料及其两种表面基(硅醇基和胺基)的比例系数对pH-ISFET器件敏感特性的影响.在硅醇基/胺基=7/3附近时,得到电解液一绝缘体(E-I)界面势对pH值的灵敏度最大,且线性响应范围宽;两种表面基的总数密度及其比值的稳定程度直接影响pH-ISFET器件的敏感响应和稳定特性.理论结果与实验观测结果相符,为进一步探索提高pH-ISFET传感器敏感特性的方法提供理论依据.

  • Pt/InP肖特基二极管气敏特性的研究

    田敬民

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(7): 529

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    本文研究了Pt/n-InP肖特基二极管在氢、氧气氛下的I-V、C-V以及复阻抗谱特性.测试结果表明:在氢气氛下势垒高度降低,在氧气氛下势垒高度增加,对二者均有良好的敏感特性.

  • VLSI和PCB双层布线中的通孔最少化算法

    洪先龙,潘立,王尔乾

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(7): 533

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    本文提出了一个新的通孔最少化层分配的图模型.该模型克服了传统层分配算法对通孔度数和位置的限制,允许通孔自由地以任意度数和任何需要的位置出现.模型中还提出了通孔秩的概念,它比较能更精确地反映通孔的本质.在此基础上,本文将通孔最少化问题转化为图的最大割问题,并提出了一种启发式算法去求解图的最大割.算法已用C语言在SUN工作站上实现.实验结果表明,算法十分有效且稳定.

  • 可调节势垒高度的Al/Si_(1—x)Gex肖特基接触

    江若琏,李健,周晓春,刘建林,郑有

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(7): 540

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    本文首次报道了Al/p-Si1-xGex肖特基(Schottky)接触的制备与电学性质.Si1-xGex/Si应变外延层采用快速加热、超低压化学气相淀积方法生长.实验表明,改变Ge组分x的大小可以调节肖特基势垒高度.随着Ge组分的增大,肖特基势垒高度降低,其降低值与Si1-xGex应变层带隙的降低值相一致,界面上费米能级钉扎于导带下约0.43eV处.文中还研究了SiGe合金层的应变弛豫以及Si顶层对肖特基接触特性的影响.

  • GaAs(100)表面钝化和Mg/S/GaAs界面的SRPES研究

    陆尔东,徐彭寿,徐世红,余小江,潘海斌,张新夷,赵天鹏,赵特秀

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(7): 545

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    应用同步辐射光电子谱(SRPES)表征了一种新的CH3CSNH2/NH4OH溶液体系处理的GaAs(100)表面的成键特性和电子态.结果表明,经过处理的GaAs(100)表面,S既与As成键也与Ga成键,形成了S与GaAs的新界面,这说明CH3CSNH2/NH4OH溶液处理的GaAs(100)表面具有明显的钝化作用.钝化表面退火处理后,发现AS的硫化物不稳定,分解或反应生成Ga-S成分和元素态As;室温下,Mg淀积硫钝化的GaAs表面的实验结果表明,Mg置换GaS的Ga成为金属Ga偏析到表面,而硫以MgS

  • Si_(1—x)Gex/Si应变层超晶格的结构稳定性研究

    刘晓晗,黄大鸣,王东红,蒋最敏,张翔九,王迅

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(7): 552

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    利用喇曼散射谱研究了Si1-xGex/Si合金型超晶格的结构热稳定性.对超晶格中折叠声学模和各类光学模的散射谱所作的定量分析表明:在800℃下退火10分钟,超晶格中由于原子互扩散引起的界面展宽已经非常严重;相比之下,晶格弛豫的大小与材料的生长条件有关.对较低温度(400℃)下生长的超晶格,晶格弛豫量并不大,仅为16%.同时,我们也从理论上证实并且在实验上观察到:折叠声学模的带隙随超晶格界面展宽而减小.

  • 3~5微米双势垒量子阱红外探测器结构在不同偏压下的光伏响应

    崔丽秋,江德生,张耀辉,刘伟,吴文刚,王若帧

    Chin. J. Semicond.  1996, 17(7): 557

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    首次采用不同偏压下的光伏谱方法无损测量到双势垒量子阱红外探测器结构的量子阱带间跃迁光伏谱响应.分析结果支持探测器有源区存在内建电场的说法:量子阱区存在由生长不对称引起的指向衬底的内建电场,同时势垒区存在相反的内建电场.

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