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Volume 20, Issue 10, Oct 1999

    CONTENTS

  • 铕离子注入氧化硅膜光发射的研究

    王亮, 朱美芳, 郑怀德, 侯延冰, 刘丰珍

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(10): 841

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    采用铕离子注入热生长SiO2薄膜的方法,获得掺杂剂量为1014cm-2及1015cm-2的SiO2∶Eu3+硅基复合膜,研究了该薄膜的光致发光退火特性.经1000℃退火后观察到Eu3+的红光发射.在1200℃下氮气中退火观察到Eu2+450nm的强光发射.讨论了Eu3+向Eu2+的转变

  • 硼掺杂富勒烯薄膜电学性质的研究

    姚江宏, 许京军, 张光寅, 陈光华

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(10): 846

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    采用直流电弧放电方法利用硼碳复合棒成功合成了硼掺杂富勒烯,质谱和X射线光电谱等分析手段证实我们制备的硼掺杂富勒烯主要是以C59B和C69B形式存在;对硼掺杂富勒烯薄膜样品在493K进行了真空退火,并测量了电导率随温度的变化关系.发现硼掺杂富勒烯膜的电导激活能减小,室温电导率比未掺杂富勒烯膜高三个量级,同时硼掺杂富勒烯膜依然表现出明显的半导体特性

  • 超晶格(GaAs)_n/(InAs)_1(001)的光学性质

    李开航, 黄美纯, 张志鹏, 朱梓忠

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(10): 851

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    采用Linearized-Muffin-Tin-Orbital(LMTO)能带方法对应变超晶格(GaAs)n/(InAs)1(001)进行自洽计算.在得到较准确能带结构和本征波函数的基础上,计算该超晶格的光学介电函数虚部ε2(ω)、折射率和吸收系数.结果表明,该超晶格表现出的光学性质和GaAs体材料不相同,在1.5~2.5eV能量范围的吸收系数增大,且该超晶格在较宽的能量范围内有较好的光谱响应

  • 快速退火Mg∶GaN的光致发光研究

    毛祥军, 杨志坚, 金泗轩, 童玉珍, 王晶晶, 李非, 张国义

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(10): 857

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    本文报道利用LP-MOCVD在Al2O3衬底上生长Mg∶GaN,在N2气氛下,经高温快速退火,然后进行光致发光测量.分析发现光致发光谱可以分解成410nm和450nm两个发光峰的叠加,本文对这两个峰的来源作了探讨,提出深N空位能级到Mg有关能级的跃迁机制的解释

  • 用于制备GaN的硅基ZnO过渡层的高温热处理研究

    李剑光, 叶志镇, 汪雷, 赵炳辉, 袁骏, 阙端麟

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(10): 862

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    我们利用直流反应磁控溅射法制备出在C轴上取向高度一致的ZnO薄膜,为了进一步检验作为高温生长GaN材料衬底的可行性,我们模拟衬底加热,进行了样品高温热处理.比较了样品高温热处理前后的晶体性能,发现热处理后使ZnO薄膜的吸附氧明显减少,孔隙率降低,薄膜的密度增加,有效地提高了薄膜的晶体性能;在ZnO和硅两者的界面上形成了一个富锌区.所以,用我们的方法制备的ZnO薄膜有望成为外延GaN单晶薄膜的理想衬底

  • ZnO导电陶瓷的制备及其性能表征

    林元华, 张中太, 袁方利, 李晋林

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(10): 867

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    本文利用化学共沉淀法分别制得Zn5(CO3)2(OH)6掺杂Al(OH)3、Mg(OH)2以及Zn5(CO3)2(OH)6掺杂Sb(OH)3、Bi(OH)3、Sn(OH)4、Co(OH)3、MnO(OH)2两种复合粉体,利用高频等离子体焙解新工艺,制得了纳米ZnO及相应的添加剂陶瓷复合粉体.TEM分析结果表明:两种陶瓷复合粉体的粒径均小于100nm.利用前者,通过添加适当的Al2O3和MgO,制备出了电阻率约10~2000Ω·cm,V-I特性较好的ZnO线性陶瓷电阻.利用后者,通过适当的杂质配比,在100

  • MBE生长的InAs薄膜Hall器件

    周宏伟, 曾一平, 李歧旺, 王红梅, 潘量, 孔梅影

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(10): 873

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    利用GaAs衬底上的InAs薄膜制备的Hall器件,具有灵敏度高(在相同的电子浓度、室温附近灵敏度是GaAsHall器件的1.5倍),不等位电压温漂小等优点.可用于电流传感器、无刷电机等磁敏传感器中,具有广阔的应用前景

  • ZnSe多量子阱横向磁阻的无接触测量

    王宗欣, 褚幼令, 胡古今, 郑国珍

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(10): 877

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    用微波无接触法测量了ZnSe外延层和两种ZnSe多量子阱样品的横向磁阻,在低磁场时,这三种样品都表现为负磁阻,并且也可以用Khosla和Fischer的半经验表示式进行拟合,实验还发现了在两层ZnSe超晶格之间的Zn+Ga单原子层也呈现为较大的负磁阻

  • 带有非应变盖层的应变外延层的稳定性

    金智, 杨树人, 安海岩, 马春生, 王本忠, 刘式墉

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(10): 882

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    本文利用连续介质模型讨论了有盖层的应变外延层的稳定性.针对目前的单扭结和双扭结模型中净作用力和净应力相互独立、不能统一的缺点,本文提出了一种混合扭结模型,即在盖层小于某值时,应变外延层中的应变由在上下界面的位错对和处于下界面上的单位错共同释放.从我们的公式出发,也可以导出单扭结和双扭结模型的净作用力和净应力的公式,从而使单双扭结模型统一起来.而且我们的公式可以用于描述盖层为任意厚度时的状况,这对于描述外延层的生长过程中的应力应变变化都有重要的意义.本文还从此模型出发计算了盖层为任意厚度时应变层的临界厚度

  • 半导体折射率波导激光器谐振模式的自洽计算

    孔军, 张文俊, 杨之廉

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(10): 888

    Abstract PDF

    用数值方法对半导体折射率波导激光器的模式进行了研究.提出了一种方法可以高效并且自洽地求得谐振腔内的模式分布.利用该方法对一种GRIN-SCHBHSQW激光器的波导谐振腔的光子能量相关的模式特性进行了数值计算,分析了阱宽、阱内载流子浓度等因素的影响

  • 一种低损耗SiGe脊形光波导的结构和设计

    施斌, 蒋最敏, 王迅

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(10): 894

    Abstract PDF

    本文提出了一种Ge含量在波导厚度方向渐变的SiGe光波导,对这种波导进行了模式分析,给出了进行单模波导设计的方法,并与成分均匀的SiGe光波导进行了传输损耗的比较,发现这种波导具有更小的传输损耗

  • POET:一个自洽的半导体量子阱激光器的二维模拟器

    孔军, 张文俊, 杨之廉

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(10): 900

    Abstract PDF

    我们开发了一个半导体量子阱激光器的数值模拟器POET.本文介绍了该模拟器的基本模型、工作流程和一些主要特性,并演示了对掩埋异质结构渐变折射率分别限制异质结单量子阱激光器的模拟

  • 倒装芯片中铝腐蚀的红外显微镜观测研究

    卢基存, 宗祥福, 吴建华, 林添明

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(10): 906

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    倒装芯片(flipchip)是当前电子封装领域中的研究热点之一.本文利用新型的红外显微镜,在不破坏焊点的情况下,首次观测到一种倒装芯片封装器件经过稳态湿热试验后的铝腐蚀模式,并用一种有损失效分析的方法验证了红外显微镜的观测结果.实验发现,该倒装芯片在含有与不含有下部填充料的情况下具有完全不同的铝腐蚀模式和腐蚀机理

  • 适用于实时图像处理的阵列处理芯片BAP-128

    张明, 陈晓初, 姚庆栋

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(10): 911

    Abstract PDF

    具有16万门规模的并行阵列处理芯片BAP-128(Bit-serialArrayProcessorwith128ProcessElements)芯片在法国一次性流片成功.本文介绍该芯片的主要结构与参数指标,以及该芯片在开发实时图像处理系统中的应用

  • “Zero”DependenceofDepositionRateonDepositionTemperatureinPhotoChemicalVaporDeposition

    Sun Jiancheng, Li Enke, Li Peixian, Wang Yuqing, Zhang Heming, Jiang Wenqing, Dai Xianying, Hu Huiyong

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(10): 916

    Abstract PDF

    Photochemicalvapordepositionisoneofthelowtemperaturetechnologies,withoutanyknock-ondamagecausedbyhigh-energyion...

  • Strain Analysis of Cubic AlGaN/GaNGrownon GaAs(100) Substrate by MOVPE

    Xu Dapeng, Yang Hui, Zhao Degang, Zheng Lianxi, Li Jianbin, Wang Yutian, Li Sunfeng, Wu Ronghan

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(10): 921

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    Group-ⅢnitridesandtheiralloysaresuitablefortheapplicationofthelightemittingdevicesintheblueandUltroViolet(UV)regionsaswellaso...

  • NovelHigh Power Quantum WellLasersWith Integrated Passive Waveguide

    Zhang Jingming, Xu Zuntu, Ma Xiaoyu, Chen Lianghui

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(10): 926

    Abstract PDF

    Thehighpowersemiconductordiodelasersareofgreatbenefitandhavebeendevel-oped[1~5]becausetheyhavewideapplicationinmanyfieldssuch...

  • 硅表面清洗对7nm热SiO_2栅介质可靠性的影响

    高文钰, 刘忠立, 和致经, 张永刚, 梁秀琴, 梁桂荣

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(10): 930

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    实验研究了硅表面清洗方式对7nm热氧化SiO2栅介质可靠性的影响.结果表明,稀HF酸漂洗后RCA清洗时降低SC1(NH4OH/H2O2/H2O)温度对提高栅介质可靠性有利,但仍不如用SC2(HCl/H2O2/H2O)或H2SO4/H2O2清洗效果好.稀HF酸漂洗后用H2SO4/H2O2清洗得到的栅介质不仅表现出优良的击穿电场分布特性和击穿电荷分布特性,抗热电子损伤能力也比较强

  • CdSe/CdZnSe多量子阱的激子复合性质的研究

    张希清, 徐征, 侯延冰, 王振家, 王永生, 徐叙溶, Z K Tang, 汪河州, 李伟良, 赵福利, 蔡志刚, 周建英

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(10): 936

    Abstract PDF

    采用MBE制备了CdSe/CdZnSe多量子阱结构.X射线衍射谱的最高阶次是7,在77K下PL光谱的线宽是4.2nm,表明我们的样品具有较高的质量.在变密度激发的ps时间分辨光谱中,随着激发密度的减小发光衰减时间减小,认为是由无辐射复合引起的.

  • InP衬底表面的H_2/N_2等离子体清洁技术

    谭满清, 茅冬生

    Chin. J. Semicond.  1999, 20(10): 941

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    本文介绍了用电子回旋共振(ECR)H2/N2等离子体去除InP衬底表面的氧、碳原子的方法,并保持了InP衬底表面原有的有序结构,给出了这种处理方法的工艺条件,对这种方法的优越性进行了系统的分析和讨论,得出了一些有价值的结论

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