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Volume 20, Issue 4, Apr 1999
CONTENTS
InAlGaAs/GaAs量子阱的生长及其界面特性
郑联喜, 胡雄伟, 韩勤
Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 265-269
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MOCVD源物质Ti(OC_4H_9)_4的重复性研究
孙一军, 夏冠群, 张良莹, 姚熹
Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 270-273
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含新型载流子注入光栅的1.55μm InGaAsP/InP应变多量子阱DFB激光器
罗毅, 文国鹏, 甘雨农, 张克潜
Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 274-277
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InGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器的可靠性
杨国文, 徐俊英, 徐遵图, 张敬明, 陈良惠
Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 278-283
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900MHz SiGe异质结双极晶体管的功率特性
张进书, 金晓军, 贾宏勇, 陈培毅, 钱佩信, 罗台秦, 杨增敏, 黄杰, 梁春广
Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 284-286
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GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管
刘学锋, 王玉田, 刘金平, 李建平, 李灵霄, 孙殿照, 孔梅影, 林兰英
Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 287-291
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HEMT结构材料中二维电子气的输运性质研究
张兴宏, 夏冠群, 徐元森, 徐波, 杨玉芬, 王占国
Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 292-297
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浮空场板的二维数值分析
张旻, 李肇基
Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 298-302
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流体静压力下窄势垒GaAs/AlAs超晶格的低温纵向输运
武建青, 刘振兴, 江德生, 孙宝权
Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 303-308
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可用于器件的侧墙GaAs量子线列阵结构
牛智川, 周增圻, 潘钟, 吴荣汉
Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 309-313
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硅基氧化铝纳米有序孔列阵制备
吴俊辉, 邹建平, 朱青, 鲍希茂
Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 314-318
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Study on Interfacial SiO_2 Layer of Silicon Direct Bonding
He Jin, Wang Xin, Chen Xingbi
Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 319-323
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中国首根太空砷化镓单晶的表面形貌和某些设计考虑
周伯骏, 王占国
Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 324-327
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室温脉冲激射的纵向控制InAs量子点激光器
汪辉, 朱海军, 王晓东, 王海龙, 封松林
Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 328-332
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固体C_(60)/n-GaN接触的电学性质
陈开茅, 孙文红, 秦国刚, 吴克, 李传义, 章其麟, 周锡煌, 顾镇南
Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 333-337
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用电流扫描法在Si(111)-7×7表面上实现单原子操纵
杨海强, 高聚宁, 薛增泉, 庞世瑾
Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 338-340
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GaN蓝光二极管杂质发光的近场光谱研究
凌勇, 周赫田, 朱星, 黄贵松, 党小忠, 张国义
Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 341-345
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氢掺杂C_(60)薄膜的电导性质研究
谢二庆, 徐灿, 王永谦, 陈光华
Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 346-348
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单稳双稳态转变逻辑单元等效电路模型
张斌, 阮刚, 薛乐川
Chin. J. Semicond.  1999, 20(4): 349-352
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