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Volume 20, Issue 6, Jun 1999
CONTENTS
CdF_2半导体中表面磁极化子的性质
肖景林, 额尔敦朝鲁, 张鹏
Chin. J. Semicond.  1999, 20(6): 441-447
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硅中氦离子注入所产生的微孔结构的吸杂作用
闵靖, 朱剑豪, 吕翔
Chin. J. Semicond.  1999, 20(6): 448-451
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Pd/Sb(Mn)薄膜的光学性质研究
程磊, 赵一广, 吴克, 焦鹏飞, 陈娓兮
Chin. J. Semicond.  1999, 20(6): 452-457
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Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片的增强氧沉淀
王启元, 王俊, 韩秀峰, 邓惠芳, 王建华, 昝育德, 蔡田海, 郁元桓, 林兰英
Chin. J. Semicond.  1999, 20(6): 458-462
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多晶硅薄膜应力特性研究
张国炳, 郝一龙, 田大宇, 刘诗美, 王铁松, 武国英
Chin. J. Semicond.  1999, 20(6): 463-467
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SiGe HBTs高频特性模拟分析
赵立新, 沈光地
Chin. J. Semicond.  1999, 20(6): 468-475
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一种新型的光敏变容管的研究
陈杰
Chin. J. Semicond.  1999, 20(6): 476-480
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VLSI3-维容错结构及其成品率分析
赵天绪, 郝跃, 许冬岗
Chin. J. Semicond.  1999, 20(6): 481-487
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GaAs/GaAlAs量子阱激子能量调谐的新方法
徐仲英, 王建农, 王玉琪, 葛惟琨, 李晴, 李树深
Chin. J. Semicond.  1999, 20(6): 488-491
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ZnCdSe/ZnSe单量子阱中的双激子发光谱
魏彦锋, 黄大鸣, 王兴军, 俞根才, 诸长生, 王迅
Chin. J. Semicond.  1999, 20(6): 492-496
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δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移
程文超, 夏建白, 郑文硕, 黄醒良, 金载元, 林三镐, 瑞恩庆, 李亨宰
Chin. J. Semicond.  1999, 20(6): 497-500
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浅离子注入InGaAs/InGaAsP SL-MQW激光器的混合蓝移效应
朱洪亮, 韩德俊, 胡雄伟, 汪孝杰, 王圩
Chin. J. Semicond.  1999, 20(6): 501-505
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Multi-Wavelength InGaAsP Lasers Grown by LP-MOCVD Selective Area Growth Technology
Xu Guoyang, Yan Xuejin, Zhu Hongliang,Zhou Fan, Duan Lihong, Tian Huiliang,Bai Yunxia, Wang Wei
Chin. J. Semicond.  1999, 20(6): 506-509
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VLSI Design Debug Using Focused Ion Beam Technology
Chang, Xu
Chin. J. Semicond.  1999, 20(6): 510-514
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高质量栅氧化层的制备及其辐照特性研究
张兴, 王阳元
Chin. J. Semicond.  1999, 20(6): 515-519
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包含自加热效应的BJT电路的直流及瞬态模拟
陈勇, 杨谟华, 朱德之
Chin. J. Semicond.  1999, 20(6): 520-524
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聚硅烷(紫外光敏材料)的氧等离子体处理特性
谢茂浓, 傅鹤鉴
Chin. J. Semicond.  1999, 20(6): 525-528
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