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Volume 23, Issue 4, Apr 2002
CONTENTS
硅上后热氧化钛膜制备氧化钛及其电学特性(英文)
朱晖文, 赵柏儒, 刘晓彦, 康晋锋, 韩汝琦
Chin. J. Semicond.  2002, 23(4): 337-341
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小垂直发散角大光腔980nm单模InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器(英文)
朱晓鹏, 徐遵图, 张敬明, 马骁宇, 陈良惠
Chin. J. Semicond.  2002, 23(4): 342-346
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具有动态控制阳极短路结构的高速IGBT(英文)
杨洪强, 陈星弼
Chin. J. Semicond.  2002, 23(4): 347-351
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新颖的常规硅工艺实现的侧向螺线型片上集成电感(英文)
刘畅, 陈学良, 严金龙, 顾伟东
Chin. J. Semicond.  2002, 23(4): 352-356
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一种基于新的优化结构和动态电路技术CMOS双模预分频器(英文)
池保勇, 石秉学
Chin. J. Semicond.  2002, 23(4): 357-361
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使用超声搅拌实现精密KOH各向异性体硅腐蚀
陈兢, 刘理天, 李志坚, 谭智敏, 蒋前哨, 方华军, 徐扬, 刘燕翔
Chin. J. Semicond.  2002, 23(4): 362-366
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超薄氧化层中的中性陷阱对隧穿电流的影响和应变诱导漏电流(英文)
张贺秋, 毛凌锋, 许铭真, 谭长华
Chin. J. Semicond.  2002, 23(4): 367-372
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InGaAs量子点的自发发射及光增益
宁永强, 高欣, 王立军, Peter Smowton, Peter Blood
Chin. J. Semicond.  2002, 23(4): 373-376
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p型微氮直拉硅中氧施主的电学特性
余学功, 杨德仁, 马向阳, 汤艳, 李东升, 李立本, 阙端麟
Chin. J. Semicond.  2002, 23(4): 377-381
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区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成
李传波, 李怀祥, 刘桂荣, 郭成花, 张华, 薛成山
Chin. J. Semicond.  2002, 23(4): 382-387
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富氧氮氧化硅薄膜退火的研究
但亚平, 岳瑞峰, 王燕, 姚永昭, 徐杨, 刘理天
Chin. J. Semicond.  2002, 23(4): 388-393
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高压热处理对氧沉淀低温形核的影响
徐进, 杨德仁, 马向阳, 李春龙, 阙端麟, A Misiuk
Chin. J. Semicond.  2002, 23(4): 394-398
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窄条宽MOCVD选区生长InP系材料的速率增强因子
张瑞英, 董杰, 周帆, 冯志伟, 边静, 王圩
Chin. J. Semicond.  2002, 23(4): 399-402
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手机用砷化镓双刀双掷单片射频开关成品率分析
李拂晓, 蒋幼泉, 吴振海, 徐中仓, 钮利荣, 周剑明, 邵凯, 杨乃彬
Chin. J. Semicond.  2002, 23(4): 403-407
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表面态密度分布和源漏电阻对6H-SiC PMOS器件特性的影响
郜锦侠, 张义门, 张玉明, 汤晓燕
Chin. J. Semicond.  2002, 23(4): 408-413
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多晶硅薄膜晶体管源漏轻掺杂结构的优化设计
李牧菊, 杨柏梁
Chin. J. Semicond.  2002, 23(4): 414-418
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考虑量子力学效应的超薄栅氧nMOSFET's直接隧穿电流二维模型
陈立锋, 马玉涛, 田立林
Chin. J. Semicond.  2002, 23(4): 419-423
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Au-AlGaN/GaN HFET研制与器件特性
张锦文, 闫桂珍, 张太平, 王玮, 宁宝俊, 武国英
Chin. J. Semicond.  2002, 23(4): 424-427
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低能电子束照射集成电路芯片时的静态电容衬度分析
冯仁剑, 张海波, Katsumi URA
Chin. J. Semicond.  2002, 23(4): 428-433
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硅在KOH中各向异性腐蚀的物理模型
姜岩峰, 黄庆安, 吴文刚, 郝一龙, 杨振川
Chin. J. Semicond.  2002, 23(4): 434-439
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基于MATLAB的硅各向异性腐蚀过程模拟
张佩君, 黄庆安
Chin. J. Semicond.  2002, 23(4): 440-444
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Ge预非晶化硅化物工艺的研究
孙海锋, 刘新宇, 海潮和, 徐秋霞, 吴德馨
Chin. J. Semicond.  2002, 23(4): 445-448
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