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Volume 8, Issue 2, Feb 1987
CONTENTS
关于半导体激光器侧向调制相位均匀性的研究
王守武, 王仲明, 马国荣
Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 113-121
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异质势垒载流子泄漏对InGaAsP半导体激光器阈值温度关系的影响
郭长志, 黄永箴
Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 122-129
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单边突变p~+n结的非耗尽分析
傅春寅, 鲁永令, 曾树荣, 吴恩
Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 130-136
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a-Si(H)太阳电池最佳结构的一些理论计算
林璇英, 杨大同, 奚中和
Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 137-144
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MISIS结构的电特性和C(V)研究
陈晖, 张继盛, 李志坚
Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 145-151
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新的双层介质的InP MIS结构
汪正孝
Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 152-159
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离子注入退火过程中高浓度砷硼再分布扩散的一种新的解析模型
汤庭鳌, Carlos Araujo
Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 160-166
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连续模型多弦热平均势计算沟道产额角分布
江炳尧, 张祖华, 周祖尧, 杨根庆, 邹世昌
Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 167-174
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关于一维晶体的表面态问题
庞小峰
Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 175-181
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非晶碳化硅薄膜和非晶锗-碳薄膜的拉曼散射研究
李国华, 陶明德, 谭辉, 曲凤钦, 韩英
Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 182-185
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重掺杂高补偿锗的电导和磁阻
李国华, 傅绮英, 吕红, 王大为
Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 186-189
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P-InP欧姆接触的Nd-YAG激光合金化
王立军, 张青月
Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 190-192
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InAs和InSb(111)清洁表面存在In岛的实验证据
侯晓远, 俞鸣人, 王迅
Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 193-195
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InGaAs的电调制反射谱及其组份分析
王桂芬, 马根源, 关德荣, 张晓东, 张光寅
Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 196-199
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重掺杂对Si能带结构的影响
赵明山, 王若桢
Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 200-203
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掺铟低位错密度的半绝缘砷化镓
林兰英, 叶式中, 何宏家, 曹福年
Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 204-206
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硅中铂杂质能级的电子辐照效应
龚敏, 游志朴
Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 207-209
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用CMOS/TTL兼容工艺实现的模拟乘除器
洪志良, Hans Melchior
Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 210-213
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在700℃下液相外延生长的GaAs、Al_xGa_(1-x)As中镁的掺杂特性
刘宏勋, 章蓓, 王舒民, 虞丽生, 王维义, 逄明雪, 赵阳
Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 214-217
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高剂量As注入单晶Si低温加热和高温电子束两步退火性能研究
卢殿通, 张通和, 苏颖, 高愈尊
Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 218-221
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共腔双稳态半导体激光器的实验研究
李建蒙, 彭怀德, 王启明
Chin. J. Semicond.  1987, 8(2): 222-224
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