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Volume 23, Issue 6, Jun 2002
CONTENTS
退火过程中自组织生长
胡冬枝, 杨建树, 蔡群, 张翔九, 胡际璜, 蒋最敏
Chin. J. Semicond.  2002, 23(6): 561-564
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采用二甲基肼为氮源进行GaNAs的金属有机化学气相沉积生长(英文)
韦欣, 马骁宇, 王国宏, 张广泽, 朱晓鹏, 陈良惠
Chin. J. Semicond.  2002, 23(6): 565-570
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高温处理对镍诱导晶化硅上的薄膜晶体管性能的影响(英文)
秦明, 樊路加, VincentPoon, C Y Yuen
Chin. J. Semicond.  2002, 23(6): 571-576
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Calculati用6×6Luttinger-Kohn模型和平面波展开方法计算应变量子阱材料的价带结构(英文)
国伟华, 黄永箴
Chin. J. Semicond.  2002, 23(6): 577-581
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长线网预处理的过点分配算法(英文)
张轶谦, 谢民, 洪先龙, 蔡懿慈
Chin. J. Semicond.  2002, 23(6): 582-588
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透明导电薄膜最佳掺杂含量的理论计算
范志新
Chin. J. Semicond.  2002, 23(6): 589-592
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在Si(111)上磁控溅射碳化硅薄膜的H_2退火效应
安霞, 庄惠照, 杨莺歌, 李怀祥, 薛成山
Chin. J. Semicond.  2002, 23(6): 593-598
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有机衬底SnO_2∶Sb透明导电膜的研究
马瑾, 郝晓涛, 马洪磊, 张德恒, 徐现刚
Chin. J. Semicond.  2002, 23(6): 599-603
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Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长
胡冬枝, 赵登涛, 蒋伟荣, 施斌, 顾骁骁, 张翔九, 蒋最敏
Chin. J. Semicond.  2002, 23(6): 604-608
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用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜
龙永福, 朱自强, 赖宗声, 忻佩胜, 石艳玲
Chin. J. Semicond.  2002, 23(6): 609-613
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一种计算单模波导输出的快速方法及其在结构优化中的应用
戴道锌, 何赛灵
Chin. J. Semicond.  2002, 23(6): 614-618
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聚合物阵列波导光栅波分复用器传输特性分析
郭文滨, 马春生, 陈维友, 张大明, 陈开鑫, 赵禹, 崔占臣, 刘式墉
Chin. J. Semicond.  2002, 23(6): 619-523
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垂直发射极镇流电阻在HBT中的发射极电流集边效应中的作用
常玉春, 崔洪峰, 王金忠, 宋俊峰, HailinLuo, Y Wang, 杜国同
Chin. J. Semicond.  2002, 23(6): 624-627
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隧道结 AlGaInP发光二极管(英文)
王国宏, 沈光地, 郭霞, 高国, 韦欣, 张广泽, 马骁宇, 李玉璋, 陈良惠
Chin. J. Semicond.  2002, 23(6): 628-631
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一种新颖结构紧凑的AWG器件(英文)
江晓清, 李柏阳, 杨建义, 王明华
Chin. J. Semicond.  2002, 23(6): 632-636
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全定制软/硬件协同设计中的硬件优化技术(英文)
汤磊, 魏少军, 仇玉林
Chin. J. Semicond.  2002, 23(6): 637-644
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有机半导体薄膜三极管的研制
王东兴, 朱敏, 工藤一浩, 田中国昭
Chin. J. Semicond.  2002, 23(6): 645-650
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开路缺陷的软故障关键面积研究
陈太峰, 郝跃, 马佩军, 张进城, 赵天绪, 刘宁
Chin. J. Semicond.  2002, 23(6): 651-654
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球栅阵列倒装焊封装中的热应变值的测试
李禾, 傅艳军, 李仁增, 严超华
Chin. J. Semicond.  2002, 23(6): 655-659
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倒扣芯片连接焊点的热疲劳失效
彩霞, 陈柳, 张群, 徐步陆, 黄卫东, 谢晓明, 程兆年
Chin. J. Semicond.  2002, 23(6): 660-667
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用于MEMS的选择性形成多孔硅技术的研究
谢克文, 王晓红, 陈兢, 刘理天
Chin. J. Semicond.  2002, 23(6): 668-672
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