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Volume 22, Issue 7, Jul 2001
Table of Content
CONTENTS
光电材料多孔硅的多孔度理论计算方程(英文)
廉德亮, 谢国伟
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 817-820
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智能剥离工艺的热动力学模型(英文)
韩伟华, 余金中
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 821-825
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正向栅控二极管的 R- G电流直接表征 NMOSFET沟道 pocket或 halo注入区(英文)
何进, 黄爱华, 张兴, 黄如
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 826-831
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强增益耦合DFB激光器单片集成自对准模式变换器(英文)
刘国利, 王圩, 朱洪亮, 张静媛, 周帆, 汪孝杰, 胡小华
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 832-836
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一种微机械光开关的分析和设计(英文)
贾玉斌, 陈良惠, 李玉璋
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 837-840
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一种抗辐射加固功率器件──VDMNOSFET(英文)
刘英坤, 梁春广, 王长河, 李思渊
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 841-845
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在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用
邢启江, 徐万劲, 武作兵
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 846-852
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垂直Bridgman生长CdTe过程的数值模拟
魏彦锋, 方维政, 张小平, 杨建荣, 何力
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 853-859
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3—6nm超薄SiO_2栅介质的特性
高文钰, 张兴, 田大宇, 张大成, 王阳元
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 860-864
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CeO_2高K栅介质薄膜的制备工艺及其电学性质
康晋锋, 刘晓彦, 王玮, 俞挺, 韩汝琦, 连贵君, 张朝晖, 熊光成
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 865-870
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低剂量SIMOX圆片表层硅缺陷密度
郑望, 陈猛, 陈静, 林梓鑫, 王曦
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 871-874
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弛豫SiGe衬底上SiGe/SiⅡ型量子阱
李代宗, 黄昌俊, 于卓, 成步文, 余金中, 王启明
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 875-880
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离子注入氮化薄SiO_2栅介质的特性
王延峰, 刘忠立
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 881-884
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GaAs MESFET旁栅迟滞现象与沟道电流数据采集时间的关系
丁勇, 赵福川, 毛友德, 夏冠群, 赵建龙
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 885-887
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杂质不完全离化对SiC MOSFET的影响
尚也淳, 张义门, 张玉明
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 888-891
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利用FN振荡电流测量薄栅MOS结构栅氧化层中隧穿电子的有效质量
毛凌锋, 谭长华, 许铭真
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 892-896
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一种基于物理模型与遗传算法的平面螺旋电感的优化技术
林敏, 李永明, 陈弘毅
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 897-903
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薄二氧化硅MOS电容电离辐射陷阱电荷研究
刘忠立
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 904-907
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深亚微米FD-SOI器件亚阈模型
程彬杰, 邵志标, 唐天同, 沈文正, 赵文魁
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 908-914
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平面结场板结构表面场分布的二维解析
何进, 张兴, 黄如, 王阳元
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 915-918
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MMI阵列波导光栅复用/解复用器的研制
马慧莲, 江晓清, 杨建义, 王明华, 余金中
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 919-923
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智能剥离SOI高温压力传感器
黄宜平, 竺士炀, 李爱珍, 鲍敏杭, 沈绍群, 王瑾, 吴东平
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 924-928
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一种适合制作CMOS的SiGePMOSFET
黎晨, 朱培喻, 罗广礼, 陈培毅, 钱佩信
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 929-932
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基于电荷流动晶体管的新型气敏传感器
谢丹, 蒋亚东, 姜健壮, 吴志明, 李言荣
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 933-937
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耦合半导体制冷系统性能特性的优化分析
王宏杰, 陈金灿
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 938-943
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2.5Gb/s Ga As MESFET定时判决电路(英文)
詹琰, 夏冠群, 王永生, 赵建龙, 朱朝嵩
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 944-946
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薄膜全耗尽SOICMOS器件和电路
孙海锋, 刘新宇, 海潮和
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 947-950
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纹膜结构微麦克风的动态特性:使用EDA/CAD工具进行Top-down设计
陈兢, 刘理天, 李志坚
Chin. J. Semicond.  2001, 22(7): 951-956
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